Корзина
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Корзина
впередназад
Транзистор NCE20TD60B Оригинал!!! 40A/20A, 600V, IGBT, корпус TO-220, фото 2
Транзистор NCE20TD60B Оригинал!!! 40A/20A, 600V, IGBT, корпус TO-220, фото 3
Транзистор NCE20TD60B Оригинал!!! 40A/20A, 600V, IGBT, корпус TO-220, фото 4
Транзистор NCE20TD60B Оригинал!!! 40A/20A, 600V, IGBT, корпус TO-220, фото 5
Транзистор NCE20TD60B Оригинал!!! 40A/20A, 600V, IGBT, корпус TO-220, фото 6

Транзистор NCE20TD60B Оригинал!!! 40A/20A, 600V, IGBT, корпус TO-220

67 ₴

43,55 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 100 ₴

  • Готово к отправке
  • Код: 412
Транзистор NCE20TD60B Оригинал!!! 40A/20A, 600V, IGBT, корпус TO-220
Транзистор NCE20TD60B Оригинал!!! 40A/20A, 600V, IGBT, корпус TO-220Готово к отправке
67 ₴43,55 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

 

IGBT-транзистор NCE20TD60B

Общие параметры:

  • Производители / Бренд: NCE Power
  • Технологичная база: Trench Field Stop Technology (Trench FS)
  • Конфигурация кристалла: Одиночный IGBT с интегрированным быстрым антипараллальным диодом обратного тока
  • Выполнение корпуса: TO-220

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 600 В
  • Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В
  • Постоянный ток коллектора Ic при 25°C: 40 А (максимальный)
  • Постоянный ток коллектора Ic при 100°C: 20 А (номинальный)
  • Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 80А
  • Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 144 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

  • Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.95 В (при Ic = 20 А, Vge = 15 В, Tj = 25°C)
  • Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.45 В
  • Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.0...6.5 В (при Ic = 1 мА)
  • Полный заряд затвора Qg: ~47 нКл (при Vge = 15 В)
  • Входная емкость Ciss: ~956 пФ
  • Выходная емкость Coss: ~68 пФ
  • Время задержки отключения tdoff: ~76 нс

Параметры встроенного защитного диода:

  • Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.60 В (при номинальном токе и Tj = 25°C)
  • Максимальный постоянный прямой ток диода If при 100°C: 20 А
  • Время обратного восстановления диода trr: ~105 нс

Тепловые параметры и эксплуатация:

  • Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 1.04 °C/Вт
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для диода Rthjc: 2.00 °C/Вт

Область применения и использования:

  • Основное назначение: Силовой коммутационный ключ для инверторов общего назначения, частотных приводов малой и средней мощности.
  • Совместимые устройства: Источники бесперебойного питания (ДБП / UPS), стабилизаторы напряжения, бытовая техника и портативные инверторные генераторы.
  • Системы управления: Высокочастотные импульсные блоки питания (SMPS), схемы коррекции коэффициента мощности (PFC) и ШИМ-регуляторы управления двигателями.


NCE20TD60B Datasheet скачать

Характеристики
Основные
ПроизводительInternational Rectifier
Страна производительКитай
Пользовательские характеристики
Количество в упаковке1 шт.
КОРПУСTO-220
Максимальна напруга600
Максимальна напруга+600V
Максимальний струм40A
Тип транзистораIGBT
Спецификация
Информация для заказа
  • Цена: 43,55 ₴