Технические характеристики IGBT-транзистора G40T65AK5HD

Общие параметры:

• Производители / Бренд: CR Micro
• Технологичная база: Trench Field Stop Technology FS
• Конфигурация кристалла: Одиночный IGBT с интегрированным быстрым антипараллальным диодом обратного тока FRD
• Выполнение корпуса: TO-247

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 650 В
• Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±30 В
• Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 25°C максимальный: 80А
• Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 100°C номинальный: 40А
• Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 120...160 А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 227 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.45 В при номинальном токе 40 А и напряжении затвора 15 В
• Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 1.90...2.10 В
• Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.0...7.0 В
• Полный заряд затвора Qg: ~72 нКл
• Входная емкость Ciss: ~2600 пФ
• Время задержки отключения tdoff: ~120-150 нс

Параметры встроенного защитного диода:

• Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.45...1.65 В при прямом токе 40А
• Время обратного восстановления диода trr: ~75-110 нс
• Максимальный прямой ток диода If: 40А

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -40 °C до +175 °C
• Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: ~0.66 °C/Вт

G40T60AK5HD Datasheet скачать