Корзина
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Корзина
Транзистор  NCE40TS120VTP, Оригинал!!! 80A/40A, 1200V, IGBT, NCE40TD120VTP, TO-247, фото 2
Транзистор  NCE40TS120VTP, Оригинал!!! 80A/40A, 1200V, IGBT, NCE40TD120VTP, TO-247, фото 3
Транзистор  NCE40TS120VTP, Оригинал!!! 80A/40A, 1200V, IGBT, NCE40TD120VTP, TO-247, фото 4
Транзистор  NCE40TS120VTP, Оригинал!!! 80A/40A, 1200V, IGBT, NCE40TD120VTP, TO-247, фото 5

Транзистор NCE40TS120VTP, Оригинал!!! 80A/40A, 1200V, IGBT, NCE40TD120VTP, TO-247

185 ₴

  • Готово к отправке
  • Код: 459
Транзистор  NCE40TS120VTP, Оригинал!!! 80A/40A, 1200V, IGBT, NCE40TD120VTP, TO-247
Транзистор NCE40TS120VTP, Оригинал!!! 80A/40A, 1200V, IGBT, NCE40TD120VTP, TO-247Готово к отправке
185 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

 NCE40TS120VTP Оригинал. NCE40TD120VTP

IGBT-транзистор NCE40TS120VTP

Общие параметры:

  • Производители / Бренд: Wuxi NCE Power Semiconductor
  • Технологичная база: Advanced Trench Field Stop Technology
  • Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный IGBT со встроенным быстрым антипаральным диодом обратного тока
  • Выполнение корпуса: TO-247-3L (TO-247)

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 1200 В
  • Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В (импульсная кратковременная устойчивость к ±30 В)
  • Постоянный ток коллектора Ic при 25°C: 80А
  • Постоянный ток коллектора Ic при 100°C: 40А
  • Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 160 А
  • Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 395 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

  • Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.80 В
  • Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.30 В
  • Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 5.0...6.5 В
  • Полный заряд затвора Qg: 148 нКл
  • Входная емкость Ciss: 3200 пФ
  • Выходная емкость Coss: 145 пФ
  • Время задержки отключения tdoff: 155 нс

Параметры встроенного защитного диода:

  • Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.90 В
  • Максимальный постоянный прямой ток диода If при 100°C: 40А
  • Время обратного восстановления диода trr: 210 нс

Тепловые параметры и эксплуатация:

  • Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 0.38 °C/Вт
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для диода Rthjc: 0.65 °C/Вт

Область применения и использования:

  • Основное назначение: Высоковольтный силовой коммутационный ключ для труднонагруженных инверторных промышленных и бытовых систем.
  • Совместимые устройства: Промышленные сварочные инверторы, трехфазные солнечные инверторы, мощные источники бесперебойного питания, индукционные нагреватели большой мощности.
  • Системы управления: Высокочастотные импульсные блоки питания, активные модули коррекции коэффициента мощности, трехфазные мостовые инверторы и ШИМ-контроллеры управления промышленными электроприводами.

 

NCE40TS120VTP Datasheet скачать

 

Характеристики
Основные
ПроизводительInfineon
Страна производительКитай
Дополнительные характеристики
СостояниеНовое
Пользовательские характеристики
Количество в упаковке1 шт.
КОРПУСTO-247
Максимальна напруга+1200V
Максимальний струм80A
Тип транзистораIGBT
Информация для заказа
  • Цена: 185 ₴