Корзина
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Корзина
впередназад
Транзистор CS13N50 Оригинал!!! 13A, 500V, MOSFET  (CS13N50FA9R, CS13N50F A9R) TO-220, фото 2
Транзистор CS13N50 Оригинал!!! 13A, 500V, MOSFET  (CS13N50FA9R, CS13N50F A9R) TO-220, фото 3
Транзистор CS13N50 Оригинал!!! 13A, 500V, MOSFET  (CS13N50FA9R, CS13N50F A9R) TO-220, фото 4
Транзистор CS13N50 Оригинал!!! 13A, 500V, MOSFET  (CS13N50FA9R, CS13N50F A9R) TO-220, фото 5
Транзистор CS13N50 Оригинал!!! 13A, 500V, MOSFET  (CS13N50FA9R, CS13N50F A9R) TO-220, фото 6
Транзистор CS13N50 Оригинал!!! 13A, 500V, MOSFET  (CS13N50FA9R, CS13N50F A9R) TO-220, фото 7

Транзистор CS13N50 Оригинал!!! 13A, 500V, MOSFET (CS13N50FA9R, CS13N50F A9R) TO-220

49 ₴

38,71 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 100 ₴

  • Готово к отправке
  • Код: 456
Транзистор CS13N50 Оригинал!!! 13A, 500V, MOSFET  (CS13N50FA9R, CS13N50F A9R) TO-220
Транзистор CS13N50 Оригинал!!! 13A, 500V, MOSFET (CS13N50FA9R, CS13N50F A9R) TO-220Готово к отправке
49 ₴38,71 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор CS13N50 13A, 500V, MOSFET  (CS13N50FA9R, CS13N50F A9R) TO-220

MOSFET-транзистор CS13N50

Общие параметры:

  • Производители / Бренд: Huajing Microelectronics
  • Технологичная база: Planar VDMOS Technology
  • Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный силовой MOSFET-транзистор со встроенным диодом обратного тока
  • Выполнение корпуса: TO-220 (открытый металлический фланец, в отличие от полностью пластикового корпуса версии с индексом F)

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

  • Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 500 В
  • Максимальное напряжение затвор-вилка Vgss: ±30 В
  • Постоянный ток стока Id при 25°C: 13 А
  • Постоянный ток стока Id при 100°C: 8.1А
  • Пиковый импульсный ток стока Idm: 52А
  • Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 142 Вт (значно выше благодаря эффективному отводу тепла через металлическое основание)

Статические и динамические характеристики транзистора:

  • Сопротивление стока во включенном состоянии Rds(on) типичное: 0.43 Ом
  • Максимальное сопротивление стока Rds(on) max: 0.52 Ом
  • Пороговое напряжение включения затвора Vgs(th): 2.0...4.0 В
  • Полный заряд затвора Qg: 42 нКл
  • Входная емкость Ciss: 1710 пФ
  • Выходная емкость Coss: 178 пФ
  • Время задержки отключения td(off): 65 нс

Параметры встроенного защитного диода:

  • Типичное прямое напряжение диода Vsd: 1.5 В
  • Максимальный постоянный прямой ток диода Is: 13 А
  • Время обратного восстановления диода trr: 430 нс

Тепловые параметры и эксплуатация:

  • Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +150 °C
  • Тепловое сопротивление переход-корпус Rthjc: 0.88 °C/Вт (совместимо улучшенное тепловое сопротивление по сравнению с изолированной версией)
  • Контроль надежности: 100% Avalanche Tested от производителя

Область применения и использования:

  • Основное назначение: Высоковольтный коммутационный ключ для сетевых импульсных источников питания, где требуется высокое рассеивание тепловой мощности.
  • Совместимые устройства: Мощные сетевые адаптеры, блоки питания стационарных компьютеров и серверов, светодиодные прожекторы, источники бесперебойного питания.
  • Системы управления: Высокочастотные импульсные блоки питания, активные схемы коррекции коэффициента мощности (PFC), мостовые и полумостовые ШИМ-регуляторы.

CS13N50 Datasheet скачать

 

 

Характеристики
Основные
ПроизводительСинтекс
Страна производительКитай
Пользовательские характеристики
Количество в упаковке1 шт.
КОРПУСTO-220
Максимальна напруга+500V
Максимальний струм13A
Тип транзистораMOSFET
Информация для заказа
  • Цена: 38,71 ₴