Транзистор CRSQ027N10N Оригинал!!! 240A/177A, 100V, MOSFET, TO-247

CRSQ027N10N - мощный полевой N-канальный транзистор в корпусе TO-247.

MOSFET-транзистор CRSQ027N10N

Общие параметры:

• Производители / Бренд: CR Micro
• Технологичная база: SkyMOS1 N-MOSFET Technology
• Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный силовой MOSFET-транзистор со встроенным диодом обратного тока
• Выполнение корпуса: TO-247

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

• Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 100 В
• Максимальное напряжение затвор-вилка Vgss: ±20 В
• Постоянный ток стока Id при 25°C: 240А
• Постоянный ток стока Id при 100°C: 177 А
• Пиковый импульсный ток стока Idm: 720А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 454 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Сопротивление стока во включенном состоянии Rds(on) типичное: 2.6 мОм
• Максимальное сопротивление стока Rds(on) max: 3.1 мОм
• Пороговое напряжение включения затвора Vgs(th): 2.0...4.0 В
• Входная емкость Ciss: 11355 пФ
• Выходная емкость Coss: 1420 пФ
• Энергия одиночного лавинного импульса Eas: 460 мДж

Параметры встроенного защитного диода:

• Максимальный постоянный прямой ток диода Is: 240А
• Тип диода: Встроенный быстродействующий защитный боди-диод

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
• Контроль надежности: 100% Avalanche Tested от производителя

Область применения и использования:

• Основное назначение: Высокотоковый коммутационный ключ высокой мощности с минимальным сопротивлением открытого канала для сильно нагруженных узлов.
• Совместимые устройства: Промышленные источники бесперебойного питания, мощные солнечные инверторы, контроллеры электротранспорта, системы управления аккумуляторными батареями большой емкости.
• Системы управления: Высокочастотные импульсные блоки питания, инверторные схемы приводов электродвигателей, устройства синхронного выпрямления тока и ШИМ-регуляторы мощности.

CRSQ027N10N Datasheet скачать