Корзина
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Корзина
впередназад
Транзистор NCEP85T25d Оригинал!!!  250A/180A, 85V, MOSFET, корпус TO-263-2L, фото 2
Транзистор NCEP85T25d Оригинал!!!  250A/180A, 85V, MOSFET, корпус TO-263-2L, фото 3
Транзистор NCEP85T25d Оригинал!!!  250A/180A, 85V, MOSFET, корпус TO-263-2L, фото 4
Транзистор NCEP85T25d Оригинал!!!  250A/180A, 85V, MOSFET, корпус TO-263-2L, фото 5
Транзистор NCEP85T25d Оригинал!!!  250A/180A, 85V, MOSFET, корпус TO-263-2L, фото 6

Транзистор NCEP85T25d Оригинал!!! 250A/180A, 85V, MOSFET, корпус TO-263-2L

79 ₴

Показать оптовые цены

Минимальная сумма заказа на сайте — 100 ₴

  • Готово к отправке
  • Оптом и в розницу
  • Код: 453
Транзистор NCEP85T25d Оригинал!!!  250A/180A, 85V, MOSFET, корпус TO-263-2L
Транзистор NCEP85T25d Оригинал!!! 250A/180A, 85V, MOSFET, корпус TO-263-2LГотово к отправке
79 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

 Транзистор NCEP85T25D,  - мощный полевой N-канальный транзистор в корпусе TO-220.

MOSFET-транзистор NCEP85T25 (в корпусе TO-263-2L)

Общие параметры:

  • Производители / Бренд: Wuxi NCE Power Semiconductor
  • Технологичная база: Super Trench Technology
  • Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный силовой MOSFET-транзистор со встроенным диодом обратного тока
  • Выполнение корпуса: TO-263-2L (D2PAK, корпус для поверхностного SMD-монтажа с укороченным центральным выводом)

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

  • Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 85 В
  • Максимальное напряжение затвор-вилка Vgss: ±20 В
  • Постоянный ток стока Id при 25°C: 250А
  • Постоянный ток стока Id при 100°C: 180А
  • Пиковый импульсный ток стока Idm: 1000А
  • Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 300 Вт (трохие скорректированно под тепловые характеристики планарного монтажа SMD)

Статические и динамические характеристики транзистора:

  • Сопротивление стока во включенном состоянии Rds(on) типичное: 2.2 мОм
  • Максимальное сопротивление стока Rds(on) max: 2.5 мОм
  • Пороговое напряжение включения затвора Vgs(th): 2.0...4.0 В
  • Полный заряд затвора Qg: 152 нКл
  • Входная емкость Ciss: 10200 пФ
  • Выходная емкость Coss: 1010 пФ
  • Время нарастания тока tr: 28 нс

Параметры встроенного защитного диода:

  • Максимальный постоянный прямой ток диода Is: 250А
  • Тип диода: Встроенный быстродействующий защитный боди-диод

Тепловые параметры и эксплуатация:

  • Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
  • Тепловое сопротивление переход-корпус Rthjc: 0.50 °C/Вт
  • Контроль надежности: 100% UIS tested и 100% Rg tested от производителя

Область применения и использования:

  • Основное назначение: Сверхмощный низковольтный коммутационный ключ в SMD исполнении для плат с высокой плотностью монтажа и низким паразитным сопротивлением выводов.
  • Совместимые устройства: Компактные контроллеры электротранспорта, интегрированные платы защиты и балансировки литиевых аккумуляторов (BMS), автомобильные инверторы 24/48 В.
  • Системы управления: Синхронные выпрямители в плоских импульсных источниках питания, DC-DC преобразователи, ШИМ-регуляторы тяжелых двигателей постоянного тока.



NCEP85T25D Datasheet скачать

Характеристики
Основные
ПроизводительInternational Rectifier
Страна производительКитай
Пользовательские характеристики
Количество в упаковке1 шт.
Максимальна напруга+85V
Максимальний струм250A
Тип транзистораMOSFET
КОРПУСTO-263-2
Спецификация
Информация для заказа
  • Цена: 79 ₴