Корзина
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Корзина
Транзистор DXG60N65HSE Оригинал!!! 120A/60A, 650V, IGBT (DXG60N65HSEU, DXG50N65HS, DXG50N65HSEU, CXG50N65HSEU), фото 2
Транзистор DXG60N65HSE Оригинал!!! 120A/60A, 650V, IGBT (DXG60N65HSEU, DXG50N65HS, DXG50N65HSEU, CXG50N65HSEU), фото 3
Транзистор DXG60N65HSE Оригинал!!! 120A/60A, 650V, IGBT (DXG60N65HSEU, DXG50N65HS, DXG50N65HSEU, CXG50N65HSEU), фото 4
Транзистор DXG60N65HSE Оригинал!!! 120A/60A, 650V, IGBT (DXG60N65HSEU, DXG50N65HS, DXG50N65HSEU, CXG50N65HSEU), фото 5

Транзистор DXG60N65HSE Оригинал!!! 120A/60A, 650V, IGBT (DXG60N65HSEU, DXG50N65HS, DXG50N65HSEU, CXG50N65HSEU)

115 ₴

  • Готово к отправке
  • Код: 442
Транзистор DXG60N65HSE Оригинал!!! 120A/60A, 650V, IGBT (DXG60N65HSEU, DXG50N65HS, DXG50N65HSEU, CXG50N65HSEU)
Транзистор DXG60N65HSE Оригинал!!! 120A/60A, 650V, IGBT (DXG60N65HSEU, DXG50N65HS, DXG50N65HSEU, CXG50N65HSEU)Готово к отправке
115 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Оригинальный. Новый. Транзистор DXG60N65HSE Оригинал (DXG60N65HSEU, замена для DXG50N65HS, DXG50N65HSEU, CXG50N65HSEU)
Daxin IGBT-транзистор DXG60N65HSE

Общие параметры:

  • Производители / Бренд: Dongxin Semi (Dongxin Microelectronics)
  • Технологичная база: Field Stop Trench IGBT Technology
  • Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный IGBT со встроенным быстрым антипаральным диодом обратного тока
  • Выполнение корпуса: TO-247

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 650 В
  • Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В
  • Постоянный ток коллектора Ic при 25°C: 120А
  • Постоянный ток коллектора Ic при 100°C: 60А
  • Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 180А
  • Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 330 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

  • Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.85 В
  • Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.30 В
  • Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.0...6.5 В
  • Полный заряд затвора Qg: ~135 нКл
  • Входная емкость Ciss: ~2900 пФ
  • Выходная емкость Coss: ~125 пФ
  • Характеристика переключения: Оптимизирована под высокую частоту коммутации (серия High Speed) с малыми потерями при выключении

Параметры встроенного защитного диода:

  • Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.75 В
  • Максимальный постоянный прямой ток диода If при 100°C: 30А
  • Тип диода: Встроенный быстрый FRD диод с мягким профилем восстановления

Тепловые параметры и эксплуатация:

  • Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 0.39 °C/Вт
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для диода Rthjc: 0.90 °C/Вт

Область применения и использования:

  • Основное назначение: Мощный скоростной силовой переключатель для инверторных систем с жесткими и мягкими топологиями коммутации.
  • Совместимые устройства: Сварочные инверторы (MMA/TIG/MIG), источники бесперебойного питания (ПОБЖ / UPS), солнечные преобразователи и портативные генераторы.
  • Системы управления: Высокочастотные импульсные блоки питания (SMPS), активные модули коррекции коэффициента мощности (PFC) и ШИМ-инверторы электроприводов.


DXG60N65HSE Datasheet скачать

Характеристики
Основные
ПроизводительSilan
Страна производительКитай
Дополнительные характеристики
СостояниеНовое
Пользовательские характеристики
Количество в упаковке1 шт.
КОРПУСTO-247
Максимальна напруга+650V
Максимальний струм120A
Тип транзистораIGBT
Информация для заказа
  • Цена: 115 ₴