Корзина
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Корзина
Транзистор AO TF13N50 Оригинал!!! 13A, 500V, MOSFET, TO-220F, фото 2
Транзистор AO TF13N50 Оригинал!!! 13A, 500V, MOSFET, TO-220F, фото 3
Транзистор AO TF13N50 Оригинал!!! 13A, 500V, MOSFET, TO-220F, фото 4

Транзистор AO TF13N50 Оригинал!!! 13A, 500V, MOSFET, TO-220F

65 ₴

46,80 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 100 ₴

  • Готово к отправке
  • Код: 409
Транзистор AO TF13N50 Оригинал!!! 13A, 500V, MOSFET, TO-220F
Транзистор AO TF13N50 Оригинал!!! 13A, 500V, MOSFET, TO-220FГотово к отправке
65 ₴46,80 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Технические характеристики MOSFET-транзистора AOTF13N50

Общие параметры:

  • Производители / Бренд: Alpha & Omega Semiconductor
  • Технологичная база: Мощная высоковольтная технология MOSFET (режим обогащения)
  • Структура транзистора: Мощный полевой N-канальный MOSFET
  • Выполнение корпуса: TO-220F полностью изолирован пластиковый корпус

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

  • Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 500 В
  • Максимальное напряжение затвор-вилка Vgs: ±30 В
  • Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C номинальный: 13 А
  • Постоянный ток стока Id при температуре фланца 100°C: 8.2 А
  • Пиковый импульсный ток стока Idm: 46 А
  • Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 46 Вт (значение ограничено тепловыми свойствами изолированного корпуса)
  • Энергия одиночной лавинной пробой Eas: ~468 мДж

Статические и динамические характеристики транзистора:

  • Типичное сопротивление открытого канала стекатик Rdson: 420 мОм 0.42 Ом при напряжении затвора 10В и тока 6.5А
  • Максимальное сопротивление открытого канала стекат-вытек Rdson max: 520 мОм 0.52 Ом
  • Пороговое напряжение включения затвора Vgsth: 3.0...5.0 В при токе 250 мкА
  • Полный заряд затвора Qg: ~30 нКл при напряжении затвора 10 В
  • Входная емкость Ciss: ~1425 пФ
  • Выходная емкость Coss: ~162 пФ
  • Время задержки включения tdon: ~20 нс
  • Время задержки отключения tdoff: ~48 нс

Параметры встроенного защитного диода:

  • Максимальное прямое напряжение диода Vf max: 1.40 В при прямом токе 13 А
  • Время обратного восстановления trr: ~340 нс скоростной интегрированный диод обратного тока
  • Максимальный постоянный прямой ток диода If: 13 А

Тепловые параметры и эксплуатация:

  • Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +150 °C
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для MOSFET Rthjc: 2.70 °C/Вт

Область применения и использования:

  • Основное назначение: Силовой переключающий ключ для высоковольтных импульсных источников питания SMPS, где требуется электрическая изоляция от радиатора без использования дополнительных прокладок.
  • Совместимые устройства: Адаптеры питания и зарядные устройства бытовой электроники, телевизоры, мониторы, блоки питания ПК, а также небольшие светодиодные драйверы.
  • Системы управления: Активные схемы коррекции коэффициента мощности PFC малой мощности, однотактные и двухтактные импульсные преобразователи напряжения.

AOTF13N50 Datasheet скачать

 

 

Характеристики
Основные
ПроизводительСинтекс
Страна производительКитай
Пользовательские характеристики
Количество в упаковке1 шт.
КОРПУСTO-220F
Максимальна напруга+500V
Максимальний струм13A
Тип транзистораMOSFET
Спецификация
Информация для заказа
  • Цена: 46,80 ₴