Корзина
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Корзина
Транзистор OST60N65HSX Оригинал!!! 80A/60A,650V, IGBT (OST60N65HSXF) TO-247, фото 2
Транзистор OST60N65HSX Оригинал!!! 80A/60A,650V, IGBT (OST60N65HSXF) TO-247, фото 3
Транзистор OST60N65HSX Оригинал!!! 80A/60A,650V, IGBT (OST60N65HSXF) TO-247, фото 4

Транзистор OST60N65HSX Оригинал!!! 80A/60A,650V, IGBT (OST60N65HSXF) TO-247

125 ₴

118,75 ₴

  • Готово к отправке
  • Код: 440
Транзистор OST60N65HSX Оригинал!!! 80A/60A,650V, IGBT (OST60N65HSXF) TO-247
Транзистор OST60N65HSX Оригинал!!! 80A/60A,650V, IGBT (OST60N65HSXF) TO-247Готово к отправке
125 ₴118,75 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор OST60N65HSXF Оригинал! OST60N65HSX

IGBT-транзистор OST60N65HSX

Общие параметры:

  • Производители / Бренд: Oriental Semiconductor
  • Технологичная база: Field Stop Trench IGBT Technology
  • Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный IGBT со встроенным быстрым антипаральным диодом обратного тока
  • Выполнение корпуса: TO-247

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 650 В
  • Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В
  • Постоянный ток коллектора Ic при 20°C: 120А
  • Постоянный ток коллектора Ic при 100°C: 60А
  • Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 180А
  • Максимальное напряжение устойчивости коллектора: 600 В

Статические и динамические характеристики транзистора:

  • Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.85 В
  • Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.35 В
  • Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.0...6.5 В
  • Полный заряд затвора Qg: 140 нКл
  • Входная емкость Ciss: 2950 пФ
  • Выходная емкость Coss: 120 пФ
  • Характеристика переключения: Низкие потери на коммутацию с минимальным «хвостовым» током отключения

Параметры встроенного защитного диода:

  • Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.75 В
  • Максимальный постоянный прямой ток диода If при 100°C: 30А
  • Тип диода: Встроенный сверхбыстрый диод с мягким восстановлением

Тепловые параметры и эксплуатация:

  • Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 0.38 °C/Вт
  • Эффективность охлаждения: Корпус оптимизирован под монтаж на мощные радиаторы с принудительной воздушной обдувом

Область применения и использования:

  • Основное назначение: Силовой высокоскоростной коммутационный ключ для труднонагруженных инверторов.
  • Совместимые устройства: Современные инверторные сварочные аппараты, солнечные преобразователи и инверторы, промышленные источники бесперебойного питания.
  • Системы управления: Высокочастотные импульсные блоки питания, активные модули коррекции коэффициента мощности и ШИМ-инверторы электроприводов.




 

OST60N65HSX Datasheet скачать

 

 

Характеристики
Основные
ПроизводительInfineon
Страна производительКитай
Пользовательские характеристики
Количество в упаковке1 шт.
КОРПУСTO-247
Максимальна напруга650
Максимальна напруга+650V
Максимальний струм80A
Тип транзистораIGBT
Спецификация
Информация для заказа
  • Цена: 118,75 ₴
  • Способ упаковки: картон