MOSFET-транзистор CS13N50F

Общие параметры:

• Производители / Бренд: Huajing Microelectronics
• Технологичная база: Planar VDMOS Technology
• Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный силовой MOSFET-транзистор со встроенным диодом обратного тока
• Выполнение корпуса: TO-220F

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

• Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 500 В
• Максимальное напряжение затвор-вилка Vgss: ±30 В
• Постоянный ток стока Id при 25°C: 13 А
• Постоянный ток стока Id при 100°C: 8.1А
• Пиковый импульсный ток стока Idm: 52А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 50 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Сопротивление стока во включенном состоянии Rds(on) типичное: 0.43 Ом
• Максимальное сопротивление стока Rds(on) max: 0.52 Ом
• Пороговое напряжение включения затвора Vgs(th): 2.0...4.0 В
• Полный заряд затвора Qg: 42 нКл
• Входная емкость Ciss: 1710 пФ
• Выходная емкость Coss: 178 пФ
• Время задержки отключения td(off): 65 нс

Параметры встроенного защитного диода:

• Типичное прямое напряжение диода Vsd: 1.5 В
• Максимальный постоянный прямой ток диода Is: 13 А
• Время обратного восстановления диода trr: 430 нс

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +150 °C
• Тепловое сопротивление переход-корпус Rthjc: 2.5 °C/Вт
• Контроль надежности: 100% Avalanche Tested от производителя

Область применения и использования:

• Основное назначение: Высоковольтный коммутационный ключ средней мощности для сетевых импульсных источников питания.
• Совместимые устройства: Электронные балласты осветительных приборов, блоки питания бытовой электроники, телевизоров, адаптеры и зарядные устройства.
• Системы управления: Высокочастотные импульсные блоки питания, DC-DC преобразователи напряжения, ШИМ-контроллеры и каскады управления реле или соленоидами.

CS13N50F Datasheet скачать