Корзина
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Корзина
Драйвер EG2126, фото 2
Драйвер EG2126, фото 3
Драйвер EG2126, фото 4
Драйвер EG2126, фото 5

Драйвер EG2126

120 ₴

78 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 100 ₴

  • Готово к отправке
  • Код: 432
Драйвер EG2126
Драйвер EG2126Готово к отправке
120 ₴78 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Драйвер затвора EG2126

Общие параметры:

  • Производители / Бренд: EG Micro (Eastsoft Microelectronics)
  • Технологичная база: High Voltage High Speed Gate Driver (КМОН-технология)
  • Конфигурация кристалла: Полумостный драйвер для управления затворами MOSFET и IGBT транзисторов (независимые каналы верхнего и нижнего плеч)
  • Выполнение корпуса: SOP-28

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

  • Максимальное напряжение смещения канала верхнего плеча Vb: 620 В
  • Диапазон напряжения питания низковольтной части Vcc: 10...20 В
  • Выходное напряжение канала нижнего плеча Vlo: от -0.3 В до Vcc
  • Выходное напряжение канала верхнего плеча Vho: от Vs - 0.3 В до Vb
  • Максимальный выходной входной ток Io+ (заряд затвора): 2.0А
  • Максимальный выходной ток Io- (разряд затвора): 2.5 А

Статические и динамические характеристики:

  • Время задержки включения ton по умолчанию: 120 нс
  • Время задержки отключения toff по умолчанию: 90 нс
  • Встроенное время задержки взаимной блокировки (Deadtime): 200 нс
  • Разница задержек каналов включения/выключения: до 20 нс
  • Логические уровни входных сигналов HIN / LIN: совместимы с 3.3 В, 5 В и 15 В логикой
  • Ток потребления в режиме ожидания: менее 1 мкА

Параметры защиты и контроля:

  • Защита от одновременного включения (Cross-conduction protection): Интегрированный, предотвращает сквозные токи в полумости
  • Функция блокировки при снижении напряжения (UVLO): Встроенная защита для каналов верхнего и нижнего плеч при Vcc < 8.3 В

Тепловые параметры и эксплуатация:

  • Робоча температура кристала Tj: от -40 °C до +125 °C
  • Температура хранения: от -55 °C до +150 °C

Область применения и использования:

  • Основное назначение: Высоковольтное скоростное управление силовыми MOSFET и IGBT ключами в полумостовых и мостовых топологиях.
  • Совместимые устройства: Чистые синусоидальные инверторы (например, платы серии EGS002), автомобильные инверторы 12/24/48 В, источники бесперебойного питания, бытовая техника с бесколлекторными двигателями.
  • Системы управления: Драйверы бесщеточных двигателей постоянного тока (BLDC), высокочастотные импульсные блоки питания, ШИМ контроллеры и инверторы сварочных аппаратов.

EG2126  Datasheet скачать
Характеристики
Основные
ПроизводительAD
Спецификация
Информация для заказа
  • Цена: 78 ₴