Корзина
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Корзина
Транзистор BT50T60 ANFK  Оригинал!!! 100A/50A, 600V, IGBT (замена BT40T60 BT50T60ANF , BT50T60ANFD , ) , TO-3P, фото 2
Транзистор BT50T60 ANFK  Оригинал!!! 100A/50A, 600V, IGBT (замена BT40T60 BT50T60ANF , BT50T60ANFD , ) , TO-3P, фото 3
Транзистор BT50T60 ANFK  Оригинал!!! 100A/50A, 600V, IGBT (замена BT40T60 BT50T60ANF , BT50T60ANFD , ) , TO-3P, фото 4

Транзистор BT50T60 ANFK Оригинал!!! 100A/50A, 600V, IGBT (замена BT40T60 BT50T60ANF , BT50T60ANFD , ) , TO-3P

125 ₴

106,25 ₴

  • Готово к отправке
  • Код: 435
Транзистор BT50T60 ANFK  Оригинал!!! 100A/50A, 600V, IGBT (замена BT40T60 BT50T60ANF , BT50T60ANFD , ) , TO-3P
Транзистор BT50T60 ANFK Оригинал!!! 100A/50A, 600V, IGBT (замена BT40T60 BT50T60ANF , BT50T60ANFD , ) , TO-3PГотово к отправке
125 ₴106,25 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор BT50T60 Оригинал ( BT50T60ANF , BT50T60ANFD , BT50T60BNF ) , TO-3P

IGBT-транзистор BT50T60 (BT50T60ANF)

Общие параметры:

  • Производители / Бренд: Jiashan Jinchang Electron / JieJie Microelectronics
  • Технологичная база: Trench Field Stop Technology
  • Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный IGBT со встроенным быстрым антипаральным диодом обратного тока
  • Выполнение корпуса: TO-247

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 600 В
  • Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В
  • Постоянный ток коллектора Ic при 25°C: 100А
  • Постоянный ток коллектора Ic при 100°C: 50А
  • Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 150А
  • Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 280 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

  • Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.95 В
  • Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.45 В
  • Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.5...6.5 В
  • Полный заряд затвора Qg: 135 нКл
  • Входная емкость Ciss: 2900 пФ
  • Выходная емкость Coss: 115 пФ
  • Время задержки отключения tdoff: 92 нс

Параметры встроенного защитного диода:

  • Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.70 В
  • Максимальный постоянный прямой ток диода If при 100°C: 25А
  • Время обратного восстановления диода trr: 75 нс

Тепловые параметры и эксплуатация:

  • Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +150 °C
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 0.45 °C/Вт
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для диода Rthjc: 1.25 °C/Вт

Область применения и использования:

  • Основное назначение: Силовой коммутационный ключ средней и высокой мощности, оптимизированный для высокой частоты переключения и низких потерь проводимости.
  • Совместимые устройства: Сварочные инверторы, солнечные инверторы, промышленные источники бесперебойного питания, бытовая техника с частотным управлением.
  • Системы управления: Высокочастотные импульсные блоки питания, схемы активной коррекции коэффициента мощности и ШИМ-контроллеры электроприводов.

 BT50T60 ANF Datasheet загрузить

 

Характеристики
Основные
ПроизводительFairchild Semiconductor
Страна производительКитай
Пользовательские характеристики
Количество в упаковке1 шт.
КОРПУСTO-3P
Максимальна напруга+600V
Максимальний струм100A
Тип транзистораIGBT
Информация для заказа
  • Цена: 106,25 ₴