Корзина
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Корзина
Транзистор HYG053N10NS1P Оригинал!!!  120A, 100V, MOSFET, корпус TO-220, Замена для AP160N10P, G053N10, фото 2
Транзистор HYG053N10NS1P Оригинал!!!  120A, 100V, MOSFET, корпус TO-220, Замена для AP160N10P, G053N10, фото 3
Транзистор HYG053N10NS1P Оригинал!!!  120A, 100V, MOSFET, корпус TO-220, Замена для AP160N10P, G053N10, фото 4

Транзистор HYG053N10NS1P Оригинал!!! 120A, 100V, MOSFET, корпус TO-220, Замена для AP160N10P, G053N10

49 ₴

29,89 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 100 ₴

  • Готово к отправке
  • Код: 431
Транзистор HYG053N10NS1P Оригинал!!!  120A, 100V, MOSFET, корпус TO-220, Замена для AP160N10P, G053N10
Транзистор HYG053N10NS1P Оригинал!!! 120A, 100V, MOSFET, корпус TO-220, Замена для AP160N10P, G053N10Готово к отправке
49 ₴29,89 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

HYG053N10NS1P - мощный полевой N-канальный транзистор в корпусе TO-220.
Замена для AP160N10P, HYG053N10N

MOSFET-транзистор HYG053N10NS1P

Общие параметры:

  • Производители / Бренд: Hooyi Semiconductor
  • Технологичная база: SGT MOSFET Technology
  • Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный силовой MOSFET-транзистор со встроенным диодом обратного тока
  • Выполнение корпуса: TO-220

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

  • Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 100 В
  • Максимальное напряжение затвор-вилка Vgss: ±20 В
  • Постоянный ток стока Id при 25°C: 120А
  • Постоянный ток стока Id при 100°C: 95А
  • Пиковый импульсный ток стока Idm: 420 А
  • Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 180 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

  • Сопротивление стока во включенном состоянии Rds(on) типичное: 4.4 мОм
  • Максимальное сопротивление стока Rds(on) max: 5.3 мОм
  • Пороговое напряжение включения затвора Vgs(th): 2.0...4.0 В
  • Полный заряд затвора Qg: 72 нКл
  • Входная емкость Ciss: 4600 пФ
  • Выходная емкость Coss: 630 пФ
  • Время задержки отключения td(off): 52 нс

Параметры встроенного защитного диода:

  • Типичное прямое напряжение диода Vsd: 1.2 В
  • Максимальный постоянный прямой ток диода Is: 120А
  • Время обратного восстановления диода trr: 68 нс

Тепловые параметры и эксплуатация:

  • Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
  • Тепловое сопротивление переход-корпус Rthjc: 0.83 °C/Вт
  • Контроль надежности: 100% Avalanche Tested от производителя

Область применения и использования:

  • Основное назначение: Высокоточный коммутационный ключ со сверхнизким сопротивлением канала для высокоэффективного преобразования энергии.
  • Совместимые устройства: Контроллеры мощного электротранспорта, источника бесперебойного питания, промышленные инверторы, солнечные контроллеры заряда.
  • Системы управления: Синхронные выпрямители в высокочастотных блоках питания, ШИМ-регуляторы мощных двигателей, платы защиты аккумуляторных батарей большой емкости.


HYG053N10NS1P Datasheet скачать

Характеристики
Основные
ПроизводительInternational Rectifier
Страна производительКитай
Пользовательские характеристики
Количество в упаковке1 шт.
КОРПУСTO-220
Максимальна напруга+100V
Максимальний струм120A
Тип транзистораMOSFET
Информация для заказа
  • Цена: 29,89 ₴