Корзина
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Корзина
Транзистор FGH60N60SFD 120A/60A, 600V, IGBT  (замена для FGH40N60SFD, FGH40N60, 40N60 FGH60N60SFDTU) TO247, фото 2
Транзистор FGH60N60SFD 120A/60A, 600V, IGBT  (замена для FGH40N60SFD, FGH40N60, 40N60 FGH60N60SFDTU) TO247, фото 3
Транзистор FGH60N60SFD 120A/60A, 600V, IGBT  (замена для FGH40N60SFD, FGH40N60, 40N60 FGH60N60SFDTU) TO247, фото 4
Транзистор FGH60N60SFD 120A/60A, 600V, IGBT  (замена для FGH40N60SFD, FGH40N60, 40N60 FGH60N60SFDTU) TO247, фото 5

Транзистор FGH60N60SFD 120A/60A, 600V, IGBT (замена для FGH40N60SFD, FGH40N60, 40N60 FGH60N60SFDTU) TO247

125 ₴

  • Нет в наличии
  • Код: 434
Транзистор FGH60N60SFD 120A/60A, 600V, IGBT  (замена для FGH40N60SFD, FGH40N60, 40N60 FGH60N60SFDTU) TO247
Транзистор FGH60N60SFD 120A/60A, 600V, IGBT (замена для FGH40N60SFD, FGH40N60, 40N60 FGH60N60SFDTU) TO247Нет в наличии
125 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно

IGBT-транзистор FGH60N60SFD

Общие параметры:

  • Производители / Бренд: Fairchild Semiconductor / ON Semiconductor
  • Технологичная база: Field Stop Trench IGBT Technology
  • Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный IGBT со встроенным быстрым антипаральным диодом обратного тока
  • Выполнение корпуса: TO-247

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 600 В
  • Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В
  • Постоянный ток коллектора Ic при 25°C: 120А
  • Постоянный ток коллектора Ic при 100°C: 60А
  • Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 180А
  • Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 378 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

  • Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 2.3 В
  • Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.9 В
  • Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.0...6.5 В
  • Полный заряд затвора Qg: 189 нКл
  • Входная емкость Ciss: 2740 пФ
  • Выходная емкость Coss: 265 пФ
  • Время задержки отключения tdoff: 111 нс

Параметры встроенного защитного диода:

  • Типичное прямое напряжение диода Vf: 2.1 В
  • Максимальный постоянный прямой ток диода If при 100°C: 30А
  • Время обратного восстановления диода trr: 45 нс

Тепловые параметры и эксплуатация:

  • Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +150 °C
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 0.33 °C/Вт
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для диода Rthjc: 1.1 °C/Вт

Область применения и использования:

  • Основное назначение: Высокоскоростной силовой коммутационный ключ для устройств с жестким и мягким переключением.
  • Совместимые устройства: Сварочные инверторы, солнечные инверторы, источники бесперебойного питания, бытовые приборы.
  • Системы управления: Высокочастотные импульсные блоки питания, схемы коррекции коэффициента мощности и ШИМ-регуляторы инверторных приводов двигателей.


  •  

FGH60N60SFD   Datasheet скачать

Характеристики
Основные
ПроизводительFairchild Semiconductor
Страна производительКитай
Пользовательские характеристики
Количество в упаковке1 шт.
КОРПУСTO-247
Максимальна напруга+600V
Максимальний струм120A
Тип транзистораIGBT
Спецификация
Информация для заказа
  • Цена: 125 ₴