Транзистор CRST041N08N Оригинал!!! 120A/109A, 85V, MOSFET (Замена HY3205) корпус TO-220

CRST041N08N - мощный полевой N-канальный транзистор в корпусе TO-220. Замена HY3205

MOSFET-транзистор CRST041N08N

Общие параметры:

• Производители / Бренд: CR Micro
• Технологичная база: SkyMOS1 N-MOSFET Technology
• Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный силовой MOSFET-транзистор со встроенным диодом обратного тока
• Выполнение корпуса: TO-220

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

• Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 85 В
• Максимальное напряжение затвор-вилка Vgss: ±20 В
• Постоянный ток стока Id при 25°C: 120А
• Постоянный ток стока Id при 100°C: 109 А
• Пиковый импульсный ток стока Idm: 480А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 208 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Сопротивление стока во включенном состоянии Rds(on) типичное: 3.4 мОм
• Максимальное сопротивление стока Rds(on) max: 4.1 мОм
• Пороговое напряжение включения затвора Vgs(th): 2.0...4.0 В
• Полный заряд затвора Qg: 74 нКл
• Входная емкость Ciss: 6050 пФ
• Выходная емкость Coss: 1480 пФ
• Энергия одиночного лавинного импульса Eas: 272 мДж

Параметры встроенного защитного диода:

• Максимальное прямое напряжение диода Vsd max: 1.4 В
• Время обратного восстановления диода trr: 76 нс
• Заряд обратного восстановления Qrr: 97 нКл

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +150 °C
• Контроль надежности: 100% Avalanche Tested и 100% DVDS Tested от производителя

Область применения и использования:

• Основное назначение: Высокоточный низковольтный коммутационный ключ со сверхнизким сопротивлением канала.
• Совместимые устройства: Контроллеры электросамокатов, гироскутеров и другого электротранспорта, мощные преобразователи напряжения 12/24/48 В, источники бесперебойного питания.
• Системы управления: Схемы управления и реверса электродвигателей, платы защиты мощных литиевых аккумуляторов.

CRST041N08N Datasheet скачать