Транзистор оригинальный CRJQ190N65GCF, md20n65

MOSFET-транзистор CRJQ190N65GCF

Общие параметры:

• Производители / Бренд: CR Micro
• Технологичная база: Super Junction MOS Technology
• Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный силовой MOSFET-транзистор со встроенным диодом обратного тока
• Выполнение корпуса: TO-247

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

• Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 650 В
• Максимальное напряжение затвор-вилка Vgss: ±30 В
• Постоянный ток стока Id при 25°C: 23А
• Постоянный ток стока Id при 100°C: 14.8 А
• Пиковый импульсный ток стока Idm: 93А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 229 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Сопротивление стока во включенном состоянии Rds(on) типичное: 0.185 Ом
• Максимальное сопротивление стока Rds(on) max: 0.21 Ом
• Пороговое напряжение включения затвора Vgs(th): 3.2...4.6 В
• Полный заряд затвора Qg: 41 нКл
• Входная емкость Ciss: 1427 пФ
• Выходная емкость Coss: 67 пФ
• Время нарастания тока ton: 42.5 нс
• Время снижения тока tof: 105 нс

Параметры встроенного защитного диода:

• Максимальный постоянный прямой ток диода Is: 23А
• Максимальный импульсный ток диода Is.puls: 93А
• Энергия одиночного лавинного импульса Eas: 220 мДж

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +150 °C
• Контроль надежности: 100% Avalanche Tested и 100% DVDS Tested от производителя

Область применения и использования:

• Основное назначение: Высокоэффективный силовой коммутационный ключ для устройств с высокими требованиями к КПД во включенном состоянии.
• Совместимые устройства: Источники бесперебойного питания, солнечные инверторы, сварочные аппараты, блоки питания телевизоров и мониторов.
• Системы управления: Высокочастотные импульсные блоки питания, автомобильные и бытовые зарядные устройства, системы LED-освещения.

CRJQ190N65GCF Datasheet скачать