Корзина
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Корзина
впередназад
Транзистор 40T65QES Оригинал!!! 80A/40A, 650V, IGBT (MBQ40T65QES, 40T65FDSC, MBQ40T65FESC, 40T65FES) TO247, фото 2
Транзистор 40T65QES Оригинал!!! 80A/40A, 650V, IGBT (MBQ40T65QES, 40T65FDSC, MBQ40T65FESC, 40T65FES) TO247, фото 3
Транзистор 40T65QES Оригинал!!! 80A/40A, 650V, IGBT (MBQ40T65QES, 40T65FDSC, MBQ40T65FESC, 40T65FES) TO247, фото 4
Транзистор 40T65QES Оригинал!!! 80A/40A, 650V, IGBT (MBQ40T65QES, 40T65FDSC, MBQ40T65FESC, 40T65FES) TO247, фото 5
Транзистор 40T65QES Оригинал!!! 80A/40A, 650V, IGBT (MBQ40T65QES, 40T65FDSC, MBQ40T65FESC, 40T65FES) TO247, фото 6

Транзистор 40T65QES Оригинал!!! 80A/40A, 650V, IGBT (MBQ40T65QES, 40T65FDSC, MBQ40T65FESC, 40T65FES) TO247

115 ₴

  • Готово к отправке
  • Код: 426
Транзистор 40T65QES Оригинал!!! 80A/40A, 650V, IGBT (MBQ40T65QES, 40T65FDSC, MBQ40T65FESC, 40T65FES) TO247
Транзистор 40T65QES Оригинал!!! 80A/40A, 650V, IGBT (MBQ40T65QES, 40T65FDSC, MBQ40T65FESC, 40T65FES) TO247Готово к отправке
115 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор 40T65QES Оригинал ( MBQ40T65QES ), TO247 (Заміна для 40T65FDSC, MBQ40T65FDSC, MBQ40T65FESC, 40T65FESC, 40T65HD, BGN40T65HD)

IGBT-транзистор 40T65QES (MBQ40T65QES)

Общие параметры:

  • Производители / Бренд: MagnaChip Semiconductor
  • Технологичная база: Field Stop Trench IGBT Technology
  • Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный IGBT со встроенным быстрым антипаральным диодом обратного тока
  • Выполнение корпуса: TO-247

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 650 В
  • Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В
  • Постоянный ток коллектора Ic при 20°C: 80А
  • Постоянный ток коллектора Ic при 100°C: 40А
  • Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 160 А
  • Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 230 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

  • Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.85 В
  • Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.30 В
  • Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 3.5...6.5 В
  • Полный заряд затвора Qg: 115 нКл
  • Входная емкость Ciss: 1565 пФ
  • Выходная емкость Coss: 65 пФ
  • Время задержки отключения tdoff: 105 нс

Параметры встроенного защитного диода:

  • Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.50 В
  • Максимальный постоянный прямой ток диода If при 100°C: 20 А
  • Максимальное прямое напряжение диода Vf max: 1.95 В
  • Время обратного восстановления диода trr: 55 нс

Тепловые параметры и эксплуатация:

  • Робоча температура кристала Tj: от -40 °C до +175 °C
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 0.65 °C/Вт
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для диода Rthjc: 1.75 °C/Вт

Область применения и использования:

  • Основное назначение: Высокоскоростной силовой переключатель с низким уровнем потерь для оснащения с жесткими режимами коммутации.
  • Совместимые устройства: Инверторные сварочные аппараты, солнечные инверторы, источники бесперебойного питания (ДБЖ / UPS).
  • Системы управления: Высокочастотные импульсные блоки питания, активные схемы коррекции коэффициента мощности (PFC) и ШИМ-контроллеры инверторных приводов.




 

40T65QES Datasheet скачать

 

 

Характеристики
Основные
ПроизводительInfineon
Страна производительКитай
Пользовательские характеристики
Количество в упаковке1 шт.
Максимальна напруга+650V
Максимальний струм80A
Тип транзистораIGBT
КОРПУСTO-247
Информация для заказа
  • Цена: 115 ₴
  • Способ упаковки: картон