Транзистор FTP08N06A Оригинал!!! 120A, 60V, MOSFET (Замена для FQP08N06, G4N024PM) корпус TO-220

FTP08N06A- мощный полевой N-канальный транзистор в корпусе TO-220.
Замена для FQP08N06, G4N024PM

MOSFET-транзистор FTP08N06A

Общие параметры:

• Производители / Бренд: InPower Semiconductor (IPS)
• Технологичная база: Power MOSFET
• Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный силовой MOSFET-транзистор со встроенным диодом обратного тока
• Выполнение корпуса: TO-220

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

• Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 55 В
• Максимальное напряжение затвор-вилка Vgss: ±20 В
• Постоянный ток стока Id при 25°C: 120А
• Пиковый импульсный ток стока Idm: 480А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 230 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Сопротивление стока во включенном состоянии Rds(on): 0.008 Ом
• Пороговое напряжение включения затвора Vgs(th): 2.0...4.0 В
• Полный заряд затвора Qg: ~110 нКл
• Входная емкость Ciss: ~4200 пФ
• Выходная емкость Coss: ~985 пФ
• Время нарастания тока tr: 58 нс

Параметры встроенного защитного диода:

• Типичное прямое напряжение диода Vsd: 1.5 В
• Максимальный постоянный прямой ток диода Is: 120А
• Время обратного восстановления диода trr: ~70 нс

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
• Тепловое сопротивление переход-корпус Rthjc: 0.65 °C/Вт
• Тепловое сопротивление переход-среда Rthja: 62.5 °C/Вт

Область применения и использования:

• Основное назначение: Силовой коммутационный ключ с низким сопротивлением канала для низковольтных схем с большими токами.
• Совместимые устройства: Автомобильная электроника, мощные DC-DC преобразователи, платы защиты и балансировки аккумуляторов (BMS), инверторы.
• Системы управления: Высокоточные ШИМ-регуляторы скорости двигателей, импульсные стабилизаторы питания и электронные ключи коммутации нагрузки.

FTP08N06A Datasheet загрузить