MOSFET-транзистор SRC60R140B

Общие параметры:

• Производители / Бренд: Shenzhen Sanrise Technology
• Технологичная база: Super Junction MOS Technology
• Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный силовой MOSFET-транзистор со встроенным диодом обратного тока
• Выполнение корпуса: TO-247 (также выпускается в вариантах TO-220F, TO-220C, TO-263-2)

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

• Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 600 В
• Максимальное напряжение затвор-вилка Vgss: ±30 В
• Постоянный ток стока Id при 25°C: 25А
• Постоянный ток стока Id при 100°C: 15.8 А
• Пиковый импульсный ток стока Idm: 76А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 178.6 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Сопротивление стока во включенном состоянии Rds(on): 0.14 Ом
• Максимальное сопротивление стока Rds(on) max: 0.14 Ом
• Пороговое напряжение включения затвора Vgs(th): 2.3...4.3 В
• Полный заряд затвора Qg: 40.4 нКл
• Входная емкость Ciss: 1650 пФ
• Выходная емкость Coss: 129.6 пФ
• Время задержки отключения td(off): 76 нс

Параметры встроенного защитного диода:

• Типичное прямое напряжение диода Vsd: 0.90 В
• Максимальный постоянный прямой ток диода Is: 25А
• Время обратного восстановления диода trr: 124 нс

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +150 °C
• Тепловое сопротивление переход-корпус Rthjc: 0.7 °C/Вт
• Тепловое сопротивление переход-среда Rthja: 62 °C/Вт

Область применения и использования:

• Основное назначение: Сверхвысокоэффективный силовой переключатель для сетевых серверных и телекоммуникационных систем.
• Совместимые устройства: Серверные AC / DC блоки питания, солнечные инверторы, вычислительная техника и ПК.
• Системы управления: Высокочастотные импульсные блоки питания, активные схемы коррекции коэффициента мощности (PFC) с высокой плотностью энергии

SRC60R140B Datasheet скачать