MOSFET-транзистор P24N60FJD

Общие параметры:

• Производители / Бренд: Silan Microelectronics
• Технологичная база: Super Junction MOS Technology
• Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный силовой MOSFET-транзистор со встроенным диодом обратного тока
• Выполнение корпуса: TO-220FJD

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

• Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 600 В
• Максимальное напряжение затвор-вилка Vgss: ±30 В
• Постоянный ток стока Id при 20°C: 24А
• Постоянный ток стока Id при 100°C: 15 А
• Пиковый импульсный ток стока Idm: 72А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 48 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Сопротивление стока во включенном состоянии Rds(on): 0.14 Ом
• Максимальное сопротивление стока Rds(on) max: 0.18 Ом
• Пороговое напряжение включения затвора Vgs(th): 2.0...4.0 В
• Полный заряд затвора Qg: 41 нКл
• Входная емкость Ciss: 1720 пФ
• Выходная емкость Coss: 82 пФ
• Время задержки отключения td(off): 75 нс

Параметры встроенного защитного диода:

• Типичное прямое напряжение диода Vsd: 1.4 В
• Максимальный постоянный прямой ток диода Is: 24А
• Время обратного восстановления диода trr: 290 нс

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +150 °C
• Тепловое сопротивление переход-корпус Rthjc: 2.66 °C/Вт
• Тепловое сопротивление переход-среда Rthja: 62.5 °C/Вт

Область применения и использования:

• Основное назначение: Высокоэффективный коммутационный ключ для импульсных преобразователей с жесткими и мягкими топологиями переключения.
• Совместимые устройства: Блоки питания бытовой техники, источника бесперебойного питания, зарядные станции и инверторы.
• Системы управления: Высокочастотные импульсные блоки питания, активные корректоры коэффициента мощности и схемы управления электродвигателями.

P24N60FJD Datasheet скачать