Корзина
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Корзина
впередназад
Транзистор K50EH5 Оригинал!!! 100A/50A, 650V, IGBT (замена для K50EF5, IKW50N65H5, IKW50N65F5)  TO247 50n65, фото 2
Транзистор K50EH5 Оригинал!!! 100A/50A, 650V, IGBT (замена для K50EF5, IKW50N65H5, IKW50N65F5)  TO247 50n65, фото 3
Транзистор K50EH5 Оригинал!!! 100A/50A, 650V, IGBT (замена для K50EF5, IKW50N65H5, IKW50N65F5)  TO247 50n65, фото 4
Транзистор K50EH5 Оригинал!!! 100A/50A, 650V, IGBT (замена для K50EF5, IKW50N65H5, IKW50N65F5)  TO247 50n65, фото 5
Транзистор K50EH5 Оригинал!!! 100A/50A, 650V, IGBT (замена для K50EF5, IKW50N65H5, IKW50N65F5)  TO247 50n65, фото 6
Транзистор K50EH5 Оригинал!!! 100A/50A, 650V, IGBT (замена для K50EF5, IKW50N65H5, IKW50N65F5)  TO247 50n65, фото 7

Транзистор K50EH5 Оригинал!!! 100A/50A, 650V, IGBT (замена для K50EF5, IKW50N65H5, IKW50N65F5) TO247 50n65

180 ₴

153 ₴

  • Готово к отправке
  • Код: 419
Транзистор K50EH5 Оригинал!!! 100A/50A, 650V, IGBT (замена для K50EF5, IKW50N65H5, IKW50N65F5)  TO247 50n65
Транзистор K50EH5 Оригинал!!! 100A/50A, 650V, IGBT (замена для K50EF5, IKW50N65H5, IKW50N65F5) TO247 50n65Готово к отправке
180 ₴153 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор K50EH5, IKW50N65H5 K50EF5, IKW50N65H5, IKW50N65F5  IGBT (50N65, 50n60)

IGBT-транзистор K50EH5 (IKW50N65H5)

Общие параметры:

  • Производители / Бренд: Infineon Technologies
  • Технологичная база: TRENCHSTOP 5 High Speed Switching H5 Technology
  • Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный IGBT со встроенным быстрым антипаральным диодом обратного тока
  • Выполнение корпуса: PG-TO247-3 (TO-247)

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 650 В
  • Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В
  • Постоянный ток коллектора Ic при 25°C: 80А
  • Постоянный ток коллектора Ic при 100°C: 56 А
  • Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 150А
  • Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 305 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

  • Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.65 В
  • Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.10 В
  • Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.0...6.5 В
  • Полный заряд затвора Qg: ~120 нКл
  • Входная емкость Ciss: ~3000 пФ
  • Время нарастания тока ton: 21 нс
  • Время снижения тока tof: 180 нс

Параметры встроенного защитного диода:

  • Типичное прямое напряжение диода Vf: ~1.65 В
  • Максимальный постоянный прямой ток диода If при 100°C: 27 А
  • Пиковый импульсный ток диода Ifpuls: 150А
  • Время обратного восстановления диода trr: 32 нс

Тепловые параметры и эксплуатация:

  • Робоча температура кристала Tj: от -40 °C до +175 °C
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 0.49 °C/Вт
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для диода Rthjc: 1.05 °C/Вт

Область применения и использования:

  • Основное назначение: Сверхскоростной силовой ключ для систем с жестким переключением на высоких частотах.
  • Совместимые устройства: Мощные сварочные инверторы, солнечные фотоэлектрические инверторы, промышленные ИБП.
  • Системы управления: Высокочастотные преобразователи энергии, схемы трехфазного ШИМ-инвертирования и корректора коэффициента мощности.


 

K50EH5  Datasheet скачать

Характеристики
Основные
ПроизводительFairchild Semiconductor
Страна производительКитай
Пользовательские характеристики
Количество в упаковке1 шт.
КОРПУСTO-247
Максимальна напруга+650V
Максимальний струм100A
Тип транзистораIGBT
Информация для заказа
  • Цена: 153 ₴