



Транзистор YGF20N65T2 Оригинал!!! 40A/20A, 650V, IGBT (Замена SLF20N65S) TO-220F
60 ₴
48 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 100 ₴
- Готово к отправке
- Код: 414
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
- +380 (73) 642-60-24Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
IGBT-транзистор YGF20N65T2
Общие параметры:
- Производители / Бренд: Luxinsemi (Luxin Semiconductor)
- Технологичная база: Trench Field Stop Technology (Trench FS)
- Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный IGBT со встроенным быстрым антипаральным диодом обратного тока
- Выполнение корпуса: TO-220F (изолированный пластиковый корпус)
Электрические параметры (Игрально допустимые значения):
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 650 В
- Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В (короткочасно до ±30 В)
- Постоянный ток коллектора Ic при 25°C: 40 А (максимальный)
- Постоянный ток коллектора Ic при 100°C: 20 А (номинальный)
- Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 60А
- Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 30.6 Вт
Статические и динамические характеристики транзистора:
- Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.65 В (при Ic = 20 А, Vge = 15 В, Tj = 25°C)
- Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.05 В
- Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.4.6.4 В
- Полный заряд затвора Qg: ~45 нКл
- Входная емкость Ciss: данные зависят от частоты измерения
- Время наращения тока ton / Время спада тока tof: ~20 нс / ~60 нс
- Время задержки отключения tdoff: быстрое отключение с пониженным «хвостовым» током
Параметры встроенного защитного диода:
- Типичное прямое напряжение диода Vf: ~1.65 В
- Максимальный постоянный прямой ток диода If при 100°C: 20 А
- Время обратного восстановления диода trr: ~50 нс
Тепловые параметры и эксплуатация:
- Робоча температура кристала Tj: от -40 °C до +175 °C
- Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 4.9 °C/Вт
- Тепловое сопротивление переход-корпус для диода Rthjc: 5.8 °C/Вт
Область применения и использования:
- Основное назначение: Силовые переключатели для устройств с мягким переключением (Soft switching), инверторные системы бытового назначения.
- Совместимые устройства: Модули управления инверторных кондиционеров, блоки питания бытовой техники, сварочные аппараты малой мощности.
- Системы управления: Частотно-регулируемые приводы двигателей (Motor drive inverter), импульсные схемы с ШИМ-регулированием.
YGF20N65T2 Datasheet скачать
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Синтекс |
| Страна производитель | Китай |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в упаковке | 1 шт. |
| КОРПУС | TO-220F |
| Максимальна напруга+ | 650V |
| Максимальний струм | 40A |
| Тип транзистора | IGBT |
Информация для заказа
- Цена: 48 ₴



