Корзина
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Корзина
Транзистор YGF20N65T2 Оригинал!!! 40A/20A, 650V, IGBT (Замена SLF20N65S) TO-220F, фото 2
Транзистор YGF20N65T2 Оригинал!!! 40A/20A, 650V, IGBT (Замена SLF20N65S) TO-220F, фото 3
Транзистор YGF20N65T2 Оригинал!!! 40A/20A, 650V, IGBT (Замена SLF20N65S) TO-220F, фото 4
Транзистор YGF20N65T2 Оригинал!!! 40A/20A, 650V, IGBT (Замена SLF20N65S) TO-220F, фото 5

Транзистор YGF20N65T2 Оригинал!!! 40A/20A, 650V, IGBT (Замена SLF20N65S) TO-220F

60 ₴

48 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 100 ₴

  • Готово к отправке
  • Код: 414
Транзистор YGF20N65T2 Оригинал!!! 40A/20A, 650V, IGBT (Замена SLF20N65S) TO-220F
Транзистор YGF20N65T2 Оригинал!!! 40A/20A, 650V, IGBT (Замена SLF20N65S) TO-220FГотово к отправке
60 ₴48 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

IGBT-транзистор YGF20N65T2

Общие параметры:

  • Производители / Бренд: Luxinsemi (Luxin Semiconductor)
  • Технологичная база: Trench Field Stop Technology (Trench FS)
  • Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный IGBT со встроенным быстрым антипаральным диодом обратного тока
  • Выполнение корпуса: TO-220F (изолированный пластиковый корпус)

Электрические параметры (Игрально допустимые значения):

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 650 В
  • Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В (короткочасно до ±30 В)
  • Постоянный ток коллектора Ic при 25°C: 40 А (максимальный)
  • Постоянный ток коллектора Ic при 100°C: 20 А (номинальный)
  • Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 60А
  • Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 30.6 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

  • Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.65 В (при Ic = 20 А, Vge = 15 В, Tj = 25°C)
  • Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.05 В
  • Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.4.6.4 В
  • Полный заряд затвора Qg: ~45 нКл
  • Входная емкость Ciss: данные зависят от частоты измерения
  • Время наращения тока ton / Время спада тока tof: ~20 нс / ~60 нс
  • Время задержки отключения tdoff: быстрое отключение с пониженным «хвостовым» током

Параметры встроенного защитного диода:

  • Типичное прямое напряжение диода Vf: ~1.65 В
  • Максимальный постоянный прямой ток диода If при 100°C: 20 А
  • Время обратного восстановления диода trr: ~50 нс

Тепловые параметры и эксплуатация:

  • Робоча температура кристала Tj: от -40 °C до +175 °C
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 4.9 °C/Вт
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для диода Rthjc: 5.8 °C/Вт

Область применения и использования:

  • Основное назначение: Силовые переключатели для устройств с мягким переключением (Soft switching), инверторные системы бытового назначения.
  • Совместимые устройства: Модули управления инверторных кондиционеров, блоки питания бытовой техники, сварочные аппараты малой мощности.
  • Системы управления: Частотно-регулируемые приводы двигателей (Motor drive inverter), импульсные схемы с ШИМ-регулированием.

YGF20N65T2 Datasheet скачать

 

 

Характеристики
Основные
ПроизводительСинтекс
Страна производительКитай
Пользовательские характеристики
Количество в упаковке1 шт.
КОРПУСTO-220F
Максимальна напруга+650V
Максимальний струм40A
Тип транзистораIGBT
Информация для заказа
  • Цена: 48 ₴