впередназад
Транзистор 50T65FDSC Оригинал!!! 100A/50A 650V IGBT (50T65QES ) , TO247 (Замена для 40T65FDSC, 40T65FESC)
125 ₴
- Нет в наличии
- Код: 611
Транзистор 50T65FDSC Оригинал!!! 100A/50A 650V IGBT (50T65QES ) , TO247 (Замена для 40T65FDSC, 40T65FESC)Нет в наличии
125 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
- +380 (73) 642-60-24Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно
Транзистор 50T65FDSC Magnachip IGBT ( IGBT-транзистор 50T65QES оригінал ( MBQ50T65QES ) , TO247(Замена для 40T65FDSC , MBQ40T65FDSC , MBQ40T65FESC , 40T65FESC , 40T65HD , BGN40T65HD )
650V /50A Trench Field Stop IGBT
Максимальный рабочий ток 100А при t 20ºC
Номинальный рабочий ток 50А при t 100ºC
Максимальное рабочее напряжение 650V
Характеристики
- Наличие встроенного диода
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер 650 В
- Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25 ° C, 140 А
- Максимальный импульсный ток коллектора 120 А
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при +25 º С 1,8 В
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 В
- Максимальная рассеиваемая мощность 375 Вт
- Выходная емкость 4453 пФ
- Рабочая температура -40 ... +175 ° C
- Тип корпуса TO247
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Magnachip Semiconductor |
| Страна производитель | Китай |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в упаковке | 1 шт. |
| КОРПУС | TO-247 |
| Максимальний струм | 100A |
| Максимальна напруга+ | 650V |
| Тип транзистора | IGBT |
Спецификация
Информация для заказа
- Цена: 125 ₴