|
Технические характеристики MOSFET-транзистора CRJQ80N65F
Общие параметры:
- Производители / Бренд: CR Micro China Resources Microelectronics
- Технологичная база: CRM CQ Super_Junction Technology
- Структура транзистора: Мощный полевой N-канальный MOSFET
- Выполнение корпуса: TO-247
Электрические параметры Предельно допустимые значения:
- Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 650 В
- Максимальное напряжение затвор-вилка Vgs: ±30 В
- Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C номинальный: 43А
- Постоянный ток стока Id при температуре фланца 100°C: 33.7 А
- Пиковый импульсный ток стока Idm: 172А
- Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 470 Вт
- Тест на лавинную пробу: 100% Avalanche Tested
Статические и динамические характеристики транзистора:
- Типичное сопротивление открытого канала стекатик Rdson: 77 мОм 0.077 Ом при напряжении затвора 10 В
- Максимальное сопротивление открытого канала стекат-вытек Rdson max: 90 мОм 0.09 Ом
- Пороговое напряжение включения затвора Vgsth: 3.3...4.5 В
- Полный заряд затвора Qg: ~84 нКл
- Время нарастания импульса tr ton: ~89 нс
- Время спада импульса tf toff: ~204 нс
Параметры встроенного защитного диода:
- Максимальный прямой ток диода If: 43А
- Конфигурация защиты: интегрированный скоростной внутренний диод для защиты от индуктивных выбросов тока
Тепловые параметры и эксплуатация:
- Робоча температура кристала Tj: от -55°C до +150°C в некоторых ревизиях до +175°C
- Энергетическая эффективность: низкий показатель FOM Figure of Merit для быстрого переключения с минимальными потерями
Область применения и использования:
- Основное назначение: Силовой полевой ключ для портативных зарядных станций EcoFlow, Bluetti и аналоги, где он часто применяется в высокочастотных инверторных каскадах и цепи защиты аккумуляторов.
- Совместимые устройства: Источники бесперебойного питания ИБП / UPS, микроинверторы солнечных панелей и мощные импульсные блоки питания SMPS.
- Системы управления: Схемы светодиодного освещения, мониторы, телевизоры LED LCD PDP и зарядные устройства высокой плотности мощности.
|
