Корзина
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Корзина
Транзистор G75T60AK3HD Оригинал!! 150A/75A, 650V, IGBT, CRG75T60AK3HD (замена для G75T60AK3SD, CRG75T60AK3SD), фото 2
Транзистор G75T60AK3HD Оригинал!! 150A/75A, 650V, IGBT, CRG75T60AK3HD (замена для G75T60AK3SD, CRG75T60AK3SD), фото 3
Транзистор G75T60AK3HD Оригинал!! 150A/75A, 650V, IGBT, CRG75T60AK3HD (замена для G75T60AK3SD, CRG75T60AK3SD), фото 4
Транзистор G75T60AK3HD Оригинал!! 150A/75A, 650V, IGBT, CRG75T60AK3HD (замена для G75T60AK3SD, CRG75T60AK3SD), фото 5

Транзистор G75T60AK3HD Оригинал!! 150A/75A, 650V, IGBT, CRG75T60AK3HD (замена для G75T60AK3SD, CRG75T60AK3SD)

115 ₴

  • Готово к отправке
  • Код: 406
Транзистор G75T60AK3HD Оригинал!! 150A/75A, 650V, IGBT, CRG75T60AK3HD (замена для G75T60AK3SD, CRG75T60AK3SD)
Транзистор G75T60AK3HD Оригинал!! 150A/75A, 650V, IGBT, CRG75T60AK3HD (замена для G75T60AK3SD, CRG75T60AK3SD)Готово к отправке
115 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Технические характеристики IGBT-транзистора G75T60AK3HD

Общие параметры:

  • Производители / Бренд: CR Micro (China Resources Microelectronics)
  • Технологичная база: Trench Field Stop Technology FS
  • Конфигурация кристалла: Одиночный IGBT с интегрированным быстрым антипараллальным диодом обратного тока FRD
  • Выполнение корпуса: TO-247

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 600...650 В
  • Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В (в отдельных импульсных режимах до ±30 В)
  • Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 25°C максимальный: 150А
  • Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 100°C номинальный: 75А
  • Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 225...300 А
  • Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 460...520 Вт
  • Время устойчивости к короткому замыканию tsc: 5...10 мкс при напряжении затвора 15 В

Статические и динамические характеристики транзистора:

  • Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.85 В при номинальном токе 75 А и напряжении затвора 15 В
  • Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.30...2.45 В
  • Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.0...6.5 В
  • Положительный температурный коэффициент: стабильная параллельный коммутация благодаря росту напряжения падения при нагревании кристалла
  • Входная емкость Ciss: ~4200...4600 пФ при напряжении 30 В и частоте 1 МГц

Параметры встроенного защитного диода:

  • Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.65...1.85 В при прямом токе 75 А
  • Время обратного восстановления диода trr: ~90-130 нс быстрый диод с мягким восстановлением
  • Максимальный прямой ток диода If: 75А

Тепловые параметры и эксплуатация:

  • Робоча температура кристала Tj: от -40°C до +150°C (в т.ч. высокотемпературные ревизии до +175°C)
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: ~0.28...0.35 °C/Вт

Область применения и использования:

  • Основное назначение: Мощный силовой ключ для промышленных инверторных сварочных аппаратов высокой мощности (MMA, TIG, MIG / MAG).
  • Совместимые устройства: Мощные источники бесперебойного питания (ДБП / UPS), промышленные солнечные и автомобильные инверторы большой емкости, зарядные станции.
  • Системы управления: Схемы коррекции коэффициента мощности (PFC), частотно-регулируемые приводы двигателей, блоки коммутации силовых модулей и индукционное нагревательное оборудование.

G75T60AK3HD Datasheet скачать

 

 

Характеристики
Основные
ПроизводительInfineon
Страна производительКитай
Пользовательские характеристики
Количество в упаковке1 шт.
КОРПУСTO-247
Максимальна напруга600
Максимальна напруга+650V
Максимальний струм150A
Тип транзистораIGBT
Информация для заказа
  • Цена: 115 ₴
  • Способ упаковки: картон