



Транзистор G40T60AN3H Оригинал! 80A/40A, 600V, IGBT, CRG40T60AN3H TO-3P G40T60AK3HD
115 ₴
79,35 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 100 ₴
- Готово к отправке
- Код: 405
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
- +380 (73) 642-60-24Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Технические характеристики IGBT-транзистора G40T60AN3H
Общие параметры:
- Производители / Бренд: CR Micro (China Resources Microelectronics)
- Технологичная база: Trench Field Stop III Technology Trench FS III
- Конфигурация кристалла: Одиночный IGBT с интегрированным быстрым антипараллальным диодом обратного тока FRD
- Выполнение корпуса: TO-247
Электрические параметры Предельно допустимые значения:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В (в импульсных режимах до ±30 В)
- Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 25°C максимальный: 80А
- Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 100°C номинальный: 40А
- Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 160 А
- Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 230...260 Вт
Статические и динамические характеристики транзистора:
- Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.65 В при номинальном токе 40 А, напряжении затвора 15 В и температуре 25°C
- Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.10 В
- Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.3...5.8 В при токе коллектора 40 мА
- Полный заряд затвора Qg: ~82 нКл при напряжении управления 15 В
- Входная емкость Ciss: ~2420 пФ
- Выходная емкость Coss: ~115 пФ
- Время задержки отключения tdoff: ~120-160 нс
Параметры встроенного защитного диода:
- Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.45 В при прямом токе 40А
- Максимальное прямое напряжение диода Vf max: 1.95 В
- Время обратного восстановления диода trr: ~75-105 нс быстрый диод с мягким восстановлением для подавления коммутационных выбросов
- Максимальный прямой ток диода If: 40А
Тепловые параметры и эксплуатация:
- Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
- Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: ~0.55...0.65 °C/Вт
Область применения и использования:
- Основное назначение: Силовой ключ средней мощности для инверторных сварочных аппаратов (MMA, TIG).
- Совместимые устройства: Источники бесперебойного питания (ДБП / UPS), солнечные инверторы, автомобильные преобразователи напряжения 12/24/48В в 220В и зарядные станции.
- Системы управления: Схемы коррекции коэффициента мощности (PFC), частотно-регулируемые приводы двигателей малой/средней мощности и импульсные блоки питания (SMPS).
G40T60AN3H Datasheet скачать
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
| Страна производитель | Китай |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в упаковке | 1 шт. |
| КОРПУС | TO-3P |
| Максимальна напруга | 600 |
| Максимальна напруга+ | 600V |
| Максимальний струм | 80A |
| Тип транзистора | IGBT |
Спецификация
Информация для заказа
- Цена: 79,35 ₴
- Способ упаковки: картон



