Корзина
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Корзина
Транзистор G40T60AN3H Оригинал! 80A/40A, 600V, IGBT, CRG40T60AN3H TO-3P G40T60AK3HD, фото 2
Транзистор G40T60AN3H Оригинал! 80A/40A, 600V, IGBT, CRG40T60AN3H TO-3P G40T60AK3HD, фото 3
Транзистор G40T60AN3H Оригинал! 80A/40A, 600V, IGBT, CRG40T60AN3H TO-3P G40T60AK3HD, фото 4
Транзистор G40T60AN3H Оригинал! 80A/40A, 600V, IGBT, CRG40T60AN3H TO-3P G40T60AK3HD, фото 5

Транзистор G40T60AN3H Оригинал! 80A/40A, 600V, IGBT, CRG40T60AN3H TO-3P G40T60AK3HD

115 ₴

79,35 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 100 ₴

  • Готово к отправке
  • Код: 405
Транзистор G40T60AN3H Оригинал! 80A/40A, 600V, IGBT, CRG40T60AN3H TO-3P G40T60AK3HD
Транзистор G40T60AN3H Оригинал! 80A/40A, 600V, IGBT, CRG40T60AN3H TO-3P G40T60AK3HDГотово к отправке
115 ₴79,35 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Технические характеристики IGBT-транзистора G40T60AN3H

Общие параметры:

  • Производители / Бренд: CR Micro (China Resources Microelectronics)
  • Технологичная база: Trench Field Stop III Technology Trench FS III
  • Конфигурация кристалла: Одиночный IGBT с интегрированным быстрым антипараллальным диодом обратного тока FRD
  • Выполнение корпуса: TO-247

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 600 В
  • Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В (в импульсных режимах до ±30 В)
  • Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 25°C максимальный: 80А
  • Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 100°C номинальный: 40А
  • Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 160 А
  • Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 230...260 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

  • Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.65 В при номинальном токе 40 А, напряжении затвора 15 В и температуре 25°C
  • Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.10 В
  • Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.3...5.8 В при токе коллектора 40 мА
  • Полный заряд затвора Qg: ~82 нКл при напряжении управления 15 В
  • Входная емкость Ciss: ~2420 пФ
  • Выходная емкость Coss: ~115 пФ
  • Время задержки отключения tdoff: ~120-160 нс

Параметры встроенного защитного диода:

  • Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.45 В при прямом токе 40А
  • Максимальное прямое напряжение диода Vf max: 1.95 В
  • Время обратного восстановления диода trr: ~75-105 нс быстрый диод с мягким восстановлением для подавления коммутационных выбросов
  • Максимальный прямой ток диода If: 40А

Тепловые параметры и эксплуатация:

  • Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: ~0.55...0.65 °C/Вт

Область применения и использования:

  • Основное назначение: Силовой ключ средней мощности для инверторных сварочных аппаратов (MMA, TIG).
  • Совместимые устройства: Источники бесперебойного питания (ДБП / UPS), солнечные инверторы, автомобильные преобразователи напряжения 12/24/48В в 220В и зарядные станции.
  • Системы управления: Схемы коррекции коэффициента мощности (PFC), частотно-регулируемые приводы двигателей малой/средней мощности и импульсные блоки питания (SMPS).


 

G40T60AN3H Datasheet скачать

 

 

Характеристики
Основные
ПроизводительInfineon
Страна производительКитай
Пользовательские характеристики
Количество в упаковке1 шт.
КОРПУСTO-3P
Максимальна напруга600
Максимальна напруга+600V
Максимальний струм80A
Тип транзистораIGBT
Информация для заказа
  • Цена: 79,35 ₴
  • Способ упаковки: картон