Корзина
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Корзина
Транзистор IRF3607 Оригинал!!! 80A/56A, 75V, MOSFET, корпус TO-220, фото 2
Транзистор IRF3607 Оригинал!!! 80A/56A, 75V, MOSFET, корпус TO-220, фото 3
Транзистор IRF3607 Оригинал!!! 80A/56A, 75V, MOSFET, корпус TO-220, фото 4
Транзистор IRF3607 Оригинал!!! 80A/56A, 75V, MOSFET, корпус TO-220, фото 5

Транзистор IRF3607 Оригинал!!! 80A/56A, 75V, MOSFET, корпус TO-220

80 ₴

64 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 100 ₴

  • Готово к отправке
  • Код: 404
Транзистор IRF3607 Оригинал!!! 80A/56A, 75V, MOSFET, корпус TO-220
Транзистор IRF3607 Оригинал!!! 80A/56A, 75V, MOSFET, корпус TO-220Готово к отправке
80 ₴64 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

IRF3607 - мощный полевой N-канальный транзистор в корпусе TO-220.

Технические характеристики MOSFET-транзистора IRF3607

Общие параметры:

  • Производители / Бренд: Infineon Technologies / International Rectifier полная заводская маркировка модели IRFB3607PBF
  • Технологичная база: Advanced HEXFET Power MOSFET / IR MOSFET
  • Структура транзистора: Мощный полевой N-канальный MOSFET
  • Выполнение корпуса: TO-220 также обозначается как TO-220AB

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

  • Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 75 В
  • Максимальное напряжение затвор-вилка Vgs: ±20 В
  • Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C кремниевое ограничение: 80А
  • Постоянный ток стока Id при температуре фланца 100°C: 56 А
  • Пиковый импульсный ток стока Idm: 310 А
  • Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 140 Вт
  • Максимальная одиночная передача энергии Eas: 120 мДж

Статические и динамические характеристики транзистора:

  • Типичное сопротивление открытого канала стекатик Rdson: 7.3 мОм при напряжении затвора 10 В и тока 46 А
  • Максимальное сопротивление открытого канала стекат-вытек Rdson max: 9.0 мОм
  • Пороговое напряжение включения затвора Vgsth: 2.0...4.0 В
  • Полный заряд затвора Qg: ~56-84 нКл при напряжении затвора 10В
  • Входная емкость Ciss: ~3070 пФ
  • Выходная емкость Coss: ~280 пФ
  • Время задержки включения tdon: ~16 нс
  • Время задержки отключения tdoff: ~38 нс

Параметры встроенного защитного диода:

  • Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.30 В при прямом токе 46 А и напряжении затвора 0 В
  • Время обратного восстановления trr: ~32-48 нс
  • Максимальный прямой ток диода If: 80А

Тепловые параметры и эксплуатация:

  • Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для MOSFET Rthjc: 1.04 °C/Вт

Область применения и использования:

  • Основное назначение: Силовые выходные каскады преобразователей напряжения, автомобильные и промышленные инверторы.
  • Совместимые устройства: Источники бесперебойного питания (ДБП / UPS), BMS платы защиты литиевых аккумуляторов, зарядные устройства.
  • Системы управления: Контроллеры электротранспорта, схемы синхронного выпрямления в высокочастотных импульсных блоках питания (SMPS) и ШИМ-регуляторы двигателей постоянного тока.


IRF3607 Datasheet загрузить

Характеристики
Основные
ПроизводительInternational Rectifier
Страна производительКитай
Пользовательские характеристики
Количество в упаковке1 шт.
КОРПУСTO-220
Максимальна напруга+75V
Максимальний струм80A
Тип транзистораMOSFET
Информация для заказа
  • Цена: 64 ₴