


Транзистор IRF3207 Оригинал!!! 170A/120A, 75V, MOSFET, корпус TO-220
80 ₴
68 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 100 ₴
- Готово к отправке
- Код: 403
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
- +380 (73) 642-60-24Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Технические характеристики MOSFET-транзистора IRF3207
Общие параметры:
- Производители / Бренд: Infineon Technologies / International Rectifier полная заводская маркировка модели IRFB3207PBF
- Технологичная база: HEXFET Power MOSFET / IR MOSFET
- Структура транзистора: Мощный полевой N-канальный MOSFET
- Выполнение корпуса: TO-220 также обозначается как TO-220AB
Электрические параметры Предельно допустимые значения:
- Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 75 В
- Максимальное напряжение затвор-вилка Vgs: ±20 В
- Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C кремниевое ограничение: 170...180 А
- Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C ограничения корпуса: 75А
- Постоянный ток стока Id при температуре фланца 100°C: 120А
- Пиковый импульсный ток стока Idm: 390...670 А
- Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 300...330 Вт
Статические и динамические характеристики транзистора:
- Типичное сопротивление открытого канала стекатик Rdson: 3.6...4.1 мОм при напряжении затвора 10 В
- Максимальное сопротивление открытого канала стекат-вытек Rdson max: 4.5 мОм
- Пороговое напряжение включения затвора Vgsth: 2.0...4.0 В
- Полный заряд затвора Qg: ~180 нКл при напряжении затвора 10 В
- Входная емкость Ciss: ~7600 пФ
- Выходная емкость Coss: ~710 пФ
- Время нарастания импульса tr: ~120 нс
- Время спада импульса tf: ~74 нс
Параметры встроенного защитного диода:
- Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.30 В при прямом токе обратного хода
- Время обратного восстановления trr: ~36-54 нс
- Максимальный прямой ток диода If: 170А
Тепловые параметры и эксплуатация:
- Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
- Тепловое сопротивление переход-корпус для MOSFET Rthjc: ~0.45...0.50 °C/Вт
Область применения и использования:
- Основное назначение: Мощные выходные каскады низковольтных преобразователей напряжения и автомобильных инверторов (12 В в 220 В).
- Совместимые устройства: Источники бесперебойного питания (ДБП / UPS), зарядные станции, системы высокоскоростного переключения питания.
- Системы управления: Схемы синхронного выпрямления в высокочастотных импульсных блоках питания (SMPS) и контроллеры двигателей постоянного тока.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | International Rectifier |
| Страна производитель | Китай |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в упаковке | 1 шт. |
| КОРПУС | TO-220 |
| Максимальна напруга+ | 75V |
| Максимальний струм | 170A |
| Тип транзистора | MOSFET |
Информация для заказа
- Цена: 68 ₴



