Корзина
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Корзина
Транзистор IRF3207 Оригинал!!!  170A/120A, 75V, MOSFET, корпус TO-220, фото 2
Транзистор IRF3207 Оригинал!!!  170A/120A, 75V, MOSFET, корпус TO-220, фото 3
Транзистор IRF3207 Оригинал!!!  170A/120A, 75V, MOSFET, корпус TO-220, фото 4

Транзистор IRF3207 Оригинал!!! 170A/120A, 75V, MOSFET, корпус TO-220

80 ₴

68 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 100 ₴

  • Готово к отправке
  • Код: 403
Транзистор IRF3207 Оригинал!!!  170A/120A, 75V, MOSFET, корпус TO-220
Транзистор IRF3207 Оригинал!!! 170A/120A, 75V, MOSFET, корпус TO-220Готово к отправке
80 ₴68 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Технические характеристики MOSFET-транзистора IRF3207

Общие параметры:

  • Производители / Бренд: Infineon Technologies / International Rectifier полная заводская маркировка модели IRFB3207PBF
  • Технологичная база: HEXFET Power MOSFET / IR MOSFET
  • Структура транзистора: Мощный полевой N-канальный MOSFET
  • Выполнение корпуса: TO-220 также обозначается как TO-220AB

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

  • Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 75 В
  • Максимальное напряжение затвор-вилка Vgs: ±20 В
  • Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C кремниевое ограничение: 170...180 А
  • Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C ограничения корпуса: 75А
  • Постоянный ток стока Id при температуре фланца 100°C: 120А
  • Пиковый импульсный ток стока Idm: 390...670 А
  • Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 300...330 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

  • Типичное сопротивление открытого канала стекатик Rdson: 3.6...4.1 мОм при напряжении затвора 10 В
  • Максимальное сопротивление открытого канала стекат-вытек Rdson max: 4.5 мОм
  • Пороговое напряжение включения затвора Vgsth: 2.0...4.0 В
  • Полный заряд затвора Qg: ~180 нКл при напряжении затвора 10 В
  • Входная емкость Ciss: ~7600 пФ
  • Выходная емкость Coss: ~710 пФ
  • Время нарастания импульса tr: ~120 нс
  • Время спада импульса tf: ~74 нс

Параметры встроенного защитного диода:

  • Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.30 В при прямом токе обратного хода
  • Время обратного восстановления trr: ~36-54 нс
  • Максимальный прямой ток диода If: 170А

Тепловые параметры и эксплуатация:

  • Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для MOSFET Rthjc: ~0.45...0.50 °C/Вт

Область применения и использования:

  • Основное назначение: Мощные выходные каскады низковольтных преобразователей напряжения и автомобильных инверторов (12 В в 220 В).
  • Совместимые устройства: Источники бесперебойного питания (ДБП / UPS), зарядные станции, системы высокоскоростного переключения питания.
  • Системы управления: Схемы синхронного выпрямления в высокочастотных импульсных блоках питания (SMPS) и контроллеры двигателей постоянного тока.


IRF3207 Datasheet загрузить

Характеристики
Основные
ПроизводительInternational Rectifier
Страна производительКитай
Пользовательские характеристики
Количество в упаковке1 шт.
КОРПУСTO-220
Максимальна напруга+75V
Максимальний струм170A
Тип транзистораMOSFET
Информация для заказа
  • Цена: 68 ₴