Корзина
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Корзина
Транзистор G60T60AK3HD Оригинал! 120A/60A, 650V, IGBT (замена для G60T60A3H, G60T60AK3SD, CRG60T60AK3SD), фото 2
Транзистор G60T60AK3HD Оригинал! 120A/60A, 650V, IGBT (замена для G60T60A3H, G60T60AK3SD, CRG60T60AK3SD), фото 3
Транзистор G60T60AK3HD Оригинал! 120A/60A, 650V, IGBT (замена для G60T60A3H, G60T60AK3SD, CRG60T60AK3SD), фото 4
Транзистор G60T60AK3HD Оригинал! 120A/60A, 650V, IGBT (замена для G60T60A3H, G60T60AK3SD, CRG60T60AK3SD), фото 5

Транзистор G60T60AK3HD Оригинал! 120A/60A, 650V, IGBT (замена для G60T60A3H, G60T60AK3SD, CRG60T60AK3SD)

115 ₴

106,95 ₴

  • Готово к отправке
  • Код: 400
Транзистор G60T60AK3HD Оригинал! 120A/60A, 650V, IGBT (замена для G60T60A3H, G60T60AK3SD, CRG60T60AK3SD)
Транзистор G60T60AK3HD Оригинал! 120A/60A, 650V, IGBT (замена для G60T60A3H, G60T60AK3SD, CRG60T60AK3SD)Готово к отправке
115 ₴106,95 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Технические характеристики IGBT-транзистора G60T60AK3HD

Общие параметры:

  • Производители / Бренд: CR Micro полная заводская маркировка модели CRG60T60AK3HD
  • Технологичная база: Trench Field Stop Technology FS
  • Конфигурация кристалла: Одиночный IGBT с интегрированным быстрым антипараллальным диодом обратного тока FRD
  • Выполнение корпуса: TO-247

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 600...650 В
  • Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В
  • Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 25°C максимальный: 120А
  • Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 100°C номинальный: 60А
  • Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 180...240 А
  • Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 403...483 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

  • Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.85 В при номинальном токе 60 А и напряжении затвора 15 В
  • Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.0...6.5 В
  • Положительный температурный коэффициент: стабильная параллельный коммутация благодаря росту напряжения падения при нагревании кристалла
  • Входная емкость Ciss: ~3398 пФ при напряжении 30 В и частоте 1 МГц

Параметры встроенного защитного диода:

  • Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.60 В при прямом токе 60А
  • Время обратного восстановления диода trr: ~80-120 нс быстрый диод с мягким восстановлением
  • Максимальный прямой ток диода If: 60А

Тепловые параметры и эксплуатация:

  • Робоча температура кристала Tj: от -40 °C до +150 °C
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: ~0.31...0.48 °C/Вт

Область применения и использования:

  • Основное назначение: Мощный силовой ключ для инверторных сварочных аппаратов (MMA, TIG, MIG / MAG).
  • Совместимые устройства: Источники бесперебойного питания (ДБП / UPS), солнечные и автомобильные инверторы 220 В.
  • Системы управления: Частотно-регулируемые приводы, контроллеры двигателей электроприливов и коммутационные узлы мощных импульсных блоков питания (SMPS).


 

G60T60AK3HD Datasheet скачать

 

 

Характеристики
Основные
ПроизводительInfineon
Страна производительКитай
Пользовательские характеристики
Количество в упаковке1 шт.
КОРПУСTO-247
Максимальна напруга+650V
Максимальний струм120A
Тип транзистораIGBT
Информация для заказа
  • Цена: 106,95 ₴
  • Способ упаковки: картон