Транзистор YGW50N65F1 Оригинал!!! 100A/50A, 650V, IGBT (замена для YGW40N65F1) TO247 50n65, 50n65
125 ₴
98,75 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 100 ₴
- Готово к отправке
- Код: 401
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
- +380 (73) 642-60-24Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор YGW50N65F1 IGBT (50N65, 50n60) LUXIN SEMI
Технические характеристики IGBT-транзистора YGW50N65F1
Общие параметры:
- Производители / Бренд: Yipower Technology
- Технологичная база: Field Stop Trench IGBT Technology
- Конфигурация кристалла: Одиночный IGBT с интегрированным быстрым антипараллальным диодом обратного тока FRD
- Выполнение корпуса: TO-247
Электрические параметры Предельно допустимые значения:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 650 В
- Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В (в отдельных коммутационных режимах до ±30 В)
- Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 25°C максимальный: 100А
- Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 100°C номинальный: 50А
- Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 200 А
- Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 345...380 Вт
Статические и динамические характеристики транзистора:
- Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.65 В при номинальном токе 50А, напряжении затвора 15В и температуре 25°C
- Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.10 В
- Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.0...6.5 В
- Полный заряд затвора Qg: ~115 нКл при напряжении затвора 15 В
- Входная емкость Ciss: ~2850 пФ
- Время задержки отключения tdoff: ~120-150 нс
Параметры встроенного защитного диода:
- Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.45 В при прямом токе 50А
- Максимальное прямое напряжение диода Vf max: 1.95 В
- Время обратного восстановления диода trr: ~90 нс быстрый диод FRD с мягким восстановлением для подавления коммутационных всплесков
- Максимальный прямой ток диода If: 50А
Тепловые параметры и эксплуатация:
- Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
- Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 0.36...0.42 °C/Вт
Область применения и использования:
- Основное назначение: Силовые ключи инверторных сварочных аппаратов (MMA, TIG, MIG / MAG).
- Совместимые устройства: Зарядные станции (EcoFlow, Bluetti), источники бесперебойного питания (ДБЖ / UPS), солнечные и автомобильные инверторы 220 В.
- Системы управления: Частотно-регулируемые приводы, контроллеры двигателей электроприводов, мощные импульсные блоки питания (SMPS).
Замена для YGW40N65F1
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Страна производитель | Китай |
| Вид запчасти | Блок питания |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в упаковке | 1 шт. |
| Тип транзистора | IGBT |
| Максимальний струм | 100A |
| КОРПУС | TO-247 |
| Максимальна напруга+ | 650V |
Информация для заказа
- Цена: 98,75 ₴









