Корзина
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Корзина
впередназад
Транзистор YGW50N65F1 Оригинал!!! 100A/50A, 650V, IGBT (замена для YGW40N65F1)  TO247 50n65, 50n65, фото 2
Транзистор YGW50N65F1 Оригинал!!! 100A/50A, 650V, IGBT (замена для YGW40N65F1)  TO247 50n65, 50n65, фото 3
Транзистор YGW50N65F1 Оригинал!!! 100A/50A, 650V, IGBT (замена для YGW40N65F1)  TO247 50n65, 50n65, фото 4
Транзистор YGW50N65F1 Оригинал!!! 100A/50A, 650V, IGBT (замена для YGW40N65F1)  TO247 50n65, 50n65, фото 5
Транзистор YGW50N65F1 Оригинал!!! 100A/50A, 650V, IGBT (замена для YGW40N65F1)  TO247 50n65, 50n65, фото 6
Транзистор YGW50N65F1 Оригинал!!! 100A/50A, 650V, IGBT (замена для YGW40N65F1)  TO247 50n65, 50n65, фото 7

Транзистор YGW50N65F1 Оригинал!!! 100A/50A, 650V, IGBT (замена для YGW40N65F1) TO247 50n65, 50n65

125 ₴

98,75 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 100 ₴

  • Готово к отправке
  • Код: 401
Транзистор YGW50N65F1 Оригинал!!! 100A/50A, 650V, IGBT (замена для YGW40N65F1)  TO247 50n65, 50n65
Транзистор YGW50N65F1 Оригинал!!! 100A/50A, 650V, IGBT (замена для YGW40N65F1) TO247 50n65, 50n65Готово к отправке
125 ₴98,75 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор YGW50N65F1 IGBT (50N65, 50n60) LUXIN SEMI 

Технические характеристики IGBT-транзистора YGW50N65F1

Общие параметры:

  • Производители / Бренд: Yipower Technology
  • Технологичная база: Field Stop Trench IGBT Technology
  • Конфигурация кристалла: Одиночный IGBT с интегрированным быстрым антипараллальным диодом обратного тока FRD
  • Выполнение корпуса: TO-247

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 650 В
  • Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В (в отдельных коммутационных режимах до ±30 В)
  • Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 25°C максимальный: 100А
  • Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 100°C номинальный: 50А
  • Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 200 А
  • Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 345...380 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

  • Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.65 В при номинальном токе 50А, напряжении затвора 15В и температуре 25°C
  • Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.10 В
  • Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.0...6.5 В
  • Полный заряд затвора Qg: ~115 нКл при напряжении затвора 15 В
  • Входная емкость Ciss: ~2850 пФ
  • Время задержки отключения tdoff: ~120-150 нс

Параметры встроенного защитного диода:

  • Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.45 В при прямом токе 50А
  • Максимальное прямое напряжение диода Vf max: 1.95 В
  • Время обратного восстановления диода trr: ~90 нс быстрый диод FRD с мягким восстановлением для подавления коммутационных всплесков
  • Максимальный прямой ток диода If: 50А

Тепловые параметры и эксплуатация:

  • Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 0.36...0.42 °C/Вт

Область применения и использования:

  • Основное назначение: Силовые ключи инверторных сварочных аппаратов (MMA, TIG, MIG / MAG).
  • Совместимые устройства: Зарядные станции (EcoFlow, Bluetti), источники бесперебойного питания (ДБЖ / UPS), солнечные и автомобильные инверторы 220 В.
  • Системы управления: Частотно-регулируемые приводы, контроллеры двигателей электроприводов, мощные импульсные блоки питания (SMPS).

Замена для YGW40N65F1

YGW50N65F1  Datasheet скачать

Характеристики
Основные
ПроизводительFairchild Semiconductor
Страна производительКитай
Вид запчастиБлок питания
Пользовательские характеристики
Количество в упаковке1 шт.
Тип транзистораIGBT
Максимальний струм100A
КОРПУСTO-247
Максимальна напруга+650V
Информация для заказа
  • Цена: 98,75 ₴