Технические характеристики IGBT-транзистора BT25T120 CKR

Общие параметры:

• Производители / Бренд: CR Micro China Resources Microelectronics
• Технологичная база: Trench FS Field Stop Technology
• Конфигурация кристалла: Одиночный IGBT с интегрированным быстрым диодом обратного тока
• Выполнение корпуса: TO-247

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 1200 В
• Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В
• Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 20°C / 25°C максимальный: 50А
• Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 100°C номинальный: 25А
• Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 75А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 208...312 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.90...1.95 В при номинальном токе 25 А и напряжении затвора 15 В
• Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 6.2...7.5 В
• Полный заряд затвора Qg: ~142...177 нКл
• Входная емкость Ciss: ~2360 пФ
• Время нарастания импульса tr: ~20...36 нс
• Время задержки отключения tdoff: ~93 нс

Параметры встроенного защитного диода:

• Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.35 В при прямом токе 25 А
• Максимальное прямое напряжение диода Vf max: 2.70 В
• Время обратного восстановления диода trr: ~535-585 нс
• Максимальный прямой ток диода If: 25...50 А

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +150 °C
• Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 0.40 °C/Вт

 BT25T120 CKR Datasheet скачать