Транзистор PDP8980, DP8980 (Замена DP8974) Оригинал!!! 180A, 80V, MOSFET, TO-220 новый транзистор bluetti

Технические характеристики MOSFET-транзистора PDP8980

Общие параметры:

• Производители / Бренд: Potens Semiconductor
• Технологичная база: Advanced Power MOSFET Technology
• Структура транзистора: Мощный полевой N-канальный MOSFET
• Выполнение корпуса: TO-220

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

• Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 80 В
• Максимальное напряжение затвор-вилка Vgs: ±20 В
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C кремниевое ограничение: 120А
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 100°C: 82А
• Пиковый импульсный ток стока Idm: ~440-480 А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 172...187 Вт
• Гарантированная лавинная энергия Eas: 100% защита от одиночного лавинного пробоя

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Типичное сопротивление открытого канала стекатик Rdson: 4.1...4.4 мОм при напряжении затвора 10В и тока 40А
• Максимальное сопротивление открытого канала стекат-вытек Rdson max: 5.0...5.2 мОм
• Пороговое напряжение включения затвора Vgsth: 2.0...4.0 В при струмі 250 мкА
• Полный заряд затвора Qg: типовые значения адаптированы под скоростные коммутационные платы инверторов
• Способность выдерживать быстрые изменения напряжения: улучшенный показатель dv/dt для стабильной работы на высоких частотах

Параметры встроенного защитного диода:

• Максимальный прямой ток диода If: 120А
• Конфигурация защиты: интегрированный скоростной диод для защиты от энергетических импульсов коммутации и обратного тока

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +150 °C
• Эксплуатационная стойкость: оптимизировано для высокоэффективных быстрых схем переключения, плат защиты BMS и источников бесперебойного питания

 PDP8980 Datasheet загрузить