Транзистор 40N60FD1 IGBT

Замена для FGH40N60SF, FGH40N60, 40N60, FGH40N60SFDTU 

Технические характеристики IGBT-транзистора 40N60FD2

Общие параметры:

• Производители / Бренд: Silan Microelectronics (полное заводское маркировки серии SGT40N60FD2)
• Технологичная база: Field Stop II IGBT Technology
• Конфигурация кристалла: Одиночный IGBT с интегрированным быстрым диодом обратного тока FRD
• Выполнение корпуса: TO-247 / TO-3P

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 600 В
• Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В
• Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 25°C максимальный: 80А
• Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 100°C номинальный: 40А
• Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 160 А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 312 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.80...2.00 В при номинальном токе 40 А и напряжении затвора 15 В
• Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.40 В
• Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.0...6.5 В
• Входная емкость Ciss: ~2100 пФ при напряжении 30 В
• Выходная емкость Coes: ~190 пФ
• Типичное время задержки отключения tdoff: ~95-135 нс

Параметры встроенного защитного диода:

• Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.55...1.80 В при номинальном прямом токе
• Время обратного восстановления диода trr: ~40-65 нс быстрый антипараллический диод FRD с мягким восстановлением
• Максимальный прямой ток диода If: 40А

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +150 °C
• Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 0.48 °C/Вт

40N60FD2   Datasheet скачать