Корзина
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Корзина
Транзистор FGH40N60SMD Оригинал!!! 80A/40A, 600V, IGBT  (замена для FGH40N60SF, FGH40N60, 40N60 TO-247), фото 2

Транзистор FGH40N60SMD Оригинал!!! 80A/40A, 600V, IGBT (замена для FGH40N60SF, FGH40N60, 40N60 TO-247)

170 ₴

144,50 ₴

  • Готово к отправке
  • Код: 381
Транзистор FGH40N60SMD Оригинал!!! 80A/40A, 600V, IGBT  (замена для FGH40N60SF, FGH40N60, 40N60 TO-247)
Транзистор FGH40N60SMD Оригинал!!! 80A/40A, 600V, IGBT (замена для FGH40N60SF, FGH40N60, 40N60 TO-247)Готово к отправке
170 ₴144,50 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор FGH40N60SMD Оригинальный!!! IGBT

Замена для FGH40N60SF, FGH40N60, 40N60, FGH40N60SFDTU 

Технические характеристики IGBT-транзистора FGH40N60SMD

Общие параметры:

  • Производители / Бренд: Fairchild Semiconductor / ON Semiconductor
  • Технологичная база: Field Stop Trench IGBT Technology
  • Конфигурация кристалла: Одиночный IGBT с интегрированным быстрым антипараллальным диодом обратного тока
  • Выполнение корпуса: TO-247

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 600 В
  • Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В (в отдельных коммутационных режимах до ±30 В)
  • Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 25°C максимальный: 80А
  • Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 100°C номинальный: 40А
  • Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 120А
  • Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 349 Вт
  • Время устойчивости к короткому замыканию tsc: 5 мкс при температуре 150°C

Статические и динамические характеристики транзистора:

  • Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.80 В при номинальном токе 40 А, напряжении затвора 15 В и температуре 25°C
  • Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.40 В
  • Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.0...6.5 В при токе коллектора 40 мА
  • Полный заряд затвора Qg: ~116 нКл при напряжении затвора 15 В
  • Входная емкость Ciss: ~1880 пФ
  • Выходная емкость Coss: ~180 пФ
  • Время задержки отключения tdoff: ~90-115 нс

Параметры встроенного защитного диода:

  • Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.80 В при прямом токе 20 А и температуре 25°C
  • Время обратного восстановления диода trr: ~35-50 нс быстрый диод обратного тока для мягкой и безопасной коммутации
  • Максимальный постоянный прямой ток диода If при 100°C: 20 А

Тепловые параметры и эксплуатация:

  • Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 0.43 °C/Вт
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для диода Rthjc: 1.20 °C/Вт

 

FGH40N60SFD   Datasheet скачать

 

Характеристики
Основные
ПроизводительON Semiconductor
Страна производительКитай
Пользовательские характеристики
Количество в упаковке1 шт.
КОРПУСTO-247
Максимальна напруга+600V
Максимальний струм80A
Тип транзистораIGBT
Информация для заказа
  • Цена: 144,50 ₴