Транзистор HYG100N20NS1P , Оригинал!!! 140A, 200V, MOSFET корпус TO-220

 Транзистор HYG100N20NS1P,  - мощный полевой N-канальный транзистор в корпусе TO-220.

Технические характеристики MOSFET-транзистора HYG100N20NS1P

Общие параметры:

• Производители / Бренд: Huayi Microelectronics
• Технологичная база: Power MOSFET Technology
• Structure транзистора: Мощный полевой N-канальный MOSFET
• Выполнение корпуса: TO-220

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

• Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 200 В
• Максимальное напряжение затвор-вилка Vgs: ±20 В
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C кремниевое ограничение: 125А
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 100°C: 88 А
• Пиковый импульсный ток стока Idm: 440А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 345 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Типичное сопротивление открытого канала стекатик Rdson: 8.5 мОм при напряжении затвора 10В и токи 60А
• Максимальное сопротивление открытого канала стекат-вытек Rdson max: 10.0 мОм
• Пороговое напряжение включения затвора Vgsth: 2.0...4.0 В
• Полный заряд затвора Qg: ~102 нКл при напряжении затвора 10 В
• Входная емкость Ciss: ~6300 пФ
• Время задержки включения tdon: ~28 нс
• Время задержки отключения tdoff: ~95 нс

Параметры встроенного защитного диода:

• Типичное прямое напряжение диода Vf: 0.85 В при прямом токе 60А
• Максимальное прямое напряжение диода Vf max: 1.30 В
• Время обратного восстановления trr: ~115 нс
• Максимальный прямой ток диода If: 125А

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
• Тепловое сопротивление переход-корпус для MOSFET Rthjc: 0.43 °C/Вт

HYG100N20NS1P  Datasheet скачать