Транзистор XNS15N120T XINER

Технические характеристики IGBT-транзистора XNS15N120T

Общие параметры:

• Производители / Бренд: Xiner
• Технологичная база: Advanced Trench Field Stop Technology Trench FS
• Конфигурация кристалла: Одиночный IGBT с интегрированным быстрым антипараллальным диодом обратного тока FRD
• Выполнение корпуса: TO-247

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 1200 В
• Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В
• Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 20°C / 25°C максимальный: 25...30 А
• Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 100°C номинальный: 15 А
• Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 45...60 А
• Время устойчивости к короткому замыканию tsc: 10 мкс при напряжении затвора 15 В

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.70...2.10 В при номинальном токе 15 А, напряжение затвора 15 В и температуре 25°C
• Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.50 В
• Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 5.0...6.5 В при токе коллектора 400 мкА
• Положительный температурный коэффициент: стабильная параллельный коммутация при высоких температурах
• Входной импеданс: высокий показатель для быстрого динамического переключения

Параметры встроенного защитного диода:

• Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.75...1.95 В при номинальном токе
• Особенности диода: интегрированный скоростной диод для надежной защиты от индуктивных выбросов тока
• Максимальный постоянный прямой ток диода If: 15 А

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -40 °C до +125 °C
• Эксплуатационная совместимость: оптимизировано для промышленных инверторов, частотных приводов и бытовых индукционных плит

XNS15N120T Datasheet скачать