Технические характеристики IGBT-транзистора FGH40N60UFD

Общие параметры:

• Производители / Бренд: Fairchild Semiconductor / ON Semiconductor
• Технологичная база: Field Stop Trench IGBT Technology
• Конфигурация кристалла: Одиночный IGBT с интегрированным быстрым антипараллальным диодом обратного тока
• Выполнение корпуса: TO-247

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 600 В
• Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В
• Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 25°C максимальный: 80А
• Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 100°C номинальный: 40А
• Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 120А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 290 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.80 В при номинальном токе 40 А, напряжении затвора 15 В и температуре 25°C
• Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.40 В
• Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.0...6.5 В при токе коллектора 40 мА
• Полный заряд затвора Qg: ~125 нКл при напряжении затвора 15 В
• Входная емкость Ciss: ~1920 пФ
• Выходная емкость Coss: ~190 пФ
• Время задержки отключения tdoff: ~105 нс

Параметры встроенного защитного диода:

• Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.70 В при прямом токе 20 А и температуре 25°C
• Максимальное прямое напряжение диода Vf max: 2.20 В
• Время обратного восстановления диода trr: ~35-50 нс ультрабыстрый диод обратного тока для мягкой и безопасной коммутации
• Максимальный постоянный прямой ток диода If при 100°C: 20 А

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +150 °C
• Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 0.51 °C/Вт
• Тепловое сопротивление переход-корпус для диода Rthjc: 1.25 °C/Вт

FGH40N60UFD   Datasheet скачать