Транзистор 50T65FESC Magnachip  IGBT MBQ50T65FESC

Технические характеристики IGBT-транзистора 50T65FESC

Общие параметры:

• Производители / Бренд: MagnaChip Semiconductor полная заводская маркировка модели MBQ50T65FESC
• Технологичная база: Field Stop Trench IGBT Technology
• Конфигурация кристалла: Одиночный IGBT с интегрированным быстрым диодом обратного тока
• Выполнение корпуса: TO-247

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 650 В
• Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В
• Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 25°C максимальный: 100А
• Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 100°C номинальный: 50А
• Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 200 А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 375 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.85 В при номинальном токе 50А и напряжении затвора 15 В
• Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 3.8...6.2 В типичное значение 5.0 В при токе 0.5 мА
• Полный заряд затвора Qg: ~287 нКл
• Входная емкость Ciss: ~4453 пФ
• Выходная емкость Coss: ~238 пФ
• Время нарастания импульса tr: ~58-60 нс

Параметры встроенного защитного диода:

• Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.65 В при прямом токе 30 А и температуре 25°C
• Время обратного восстановления диода trr: ~80 нс ультрабыстрый защитный диод обратного тока
• Максимальный прямой ток диода If: 50А

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
• Эксплуатационная стойкость: оптимизировано для силовых схем инверторов и сварочных аппаратов

50T65FESC  Datasheet скачать