Транзистор IKW 50H60H3 Оригинал!!! 100A /50A 600V IGBT (замена 50n60, K50H603) TO247

Технические характеристики IGBT-транзистора 50H60H3

Общие параметры:

• Производители / Бренд: Infineon Technologies заводская маркировка модели IKW50N60H3
• Технологичная база: TRENCHSTOP High Speed Switching Series Third Generation H3
• Конфигурация кристалла: Одиночный IGBT с интегрированным быстрым антипараллальным диодом обратного тока
• Выполнение корпуса: TO-247 маркуется на корпусе в виде K50H603

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 600 В
• Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В
• Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 25°C максимальный: 100А
• Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 100°C номинальный: 50А
• Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 200 А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 333 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.85 В при номинальном токе 50А, напряжении затвора 15В и температуре 25°C
• Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.30 В
• Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.1...5.7 В при токе коллектора 0.8 мА
• Полный заряд затвора Qg: ~310 нКл
• Входная емкость Ciss: ~2960 пФ при напряжении 25 В
• Выходная емкость Coss: ~190 пФ

Параметры встроенного защитного диода:

• Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.55 В при прямом токе 50А
• Максимальное прямое напряжение диода Vf max: 1.95...2.10 В
• Время обратного восстановления диода trr: ~130-217 нс сверхбыстрый антипараллический диод с мягким восстановлением
• Максимальный постоянный прямой ток диода If при 100°C: 30А
• Максимальный постоянный прямой ток диода If при 25°C: 60А

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -40 °C до +175 °C
• Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 0.45 °C/Вт

IKW50N60H3 Datasheet загрузить