Технические характеристики IGBT-транзистора FGH60N60SMD

Общие параметры:

• Производители / Бренд: Fairchild Semiconductor / ON Semiconductor
• Технологичная база: Field Stop Trench IGBT Technology серия SMD
• Конфигурация кристалла: Одиночный IGBT с интегрированным быстрым антипараллальным диодом обратного тока
• Выполнение корпуса: TO-247

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 600 В
• Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В (в отдельных коммутационных режимах до ±30 В)
• Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 25°C максимальный: 120А
• Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 100°C номинальный: 60А
• Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 180А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 600 Вт
• Время устойчивости к короткому замыканию tsc: 5 мкс при температуре 150°C

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.90 В при номинальном токе 60 А, напряжении затвора 15 В и температуре 25°C
• Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.50 В
• Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.0...6.5 В при токе коллектора 60 мА
• Полный заряд затвора Qg: ~189 нКл при напряжении затвора 15 В
• Входная емкость Ciss: ~2775 пФ
• Выходная емкость Coss: ~295 пФ
• Время задержки отключения tdoff: ~100-120 нс

Параметры встроенного защитного диода:

• Типичное прямое напряжение диода Vf: 2.10 В при прямом токе 30 А и температуре 25°C
• Время обратного восстановления диода trr: ~40-65 нс быстрый диод серии Stealth с очень мягким восстановлением
• Максимальный постоянный прямой ток диода If при 100°C: 30А

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
• Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 0.25 °C/Вт
• Тепловое сопротивление переход-корпус для диода Rthjc: 1.10 °C/Вт

FGH60N60SMD Datasheet загрузить