Транзистор NCE85H21TC, Оригинал!!! 210A, 85V, MOSFET корпус TO-247

Технические характеристики MOSFET-транзистора NCE85H21TC

Общие параметры:

• Производители / Бренд: NCE Power
• Технологичная база: Advanced Super Trench Technology
• Структура транзистора: Мощный полевой N-канальный MOSFET
• Выполнение корпуса: TO-220

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

• Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 85 В
• Максимальное напряжение затвор-вилка Vgs: ±20 В
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C кремниевое ограничение: 210А
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 100°C: 148 А
• Пиковый импульсный ток стока Idm: 840А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 300 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Типичное сопротивление открытого канала стекатик Rdson: 3.4...4.1 мОм при напряжении затвора 10В и тока 40А
• Максимальное сопротивление открытого канала стекат-вытек Rdson max: 3.9...4.95 мОм
• Пороговое напряжение включения затвора Vgsth: 2.0...4.0 В при струмі 250 мкА
• Полный заряд затвора Qg: ~154 нКл при напряжении затвора 10 В
• Входная емкость Ciss: ~7600 пФ
• Выходная емкость Coss: ~890 пФ
• Время задержки включения tdon: ~24 нс
• Время задержки отключения tdoff: ~86 нс

Параметры встроенного защитного диода:

• Типичное прямое напряжение диода Vf: 0.88 В при прямом токе 40 А
• Максимальное прямое напряжение диода Vf max: 1.20 В
• Время обратного восстановления trr: ~72 нс
• Максимальный прямой ток диода If: 210А

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
• Тепловое сопротивление переход-корпус для MOSFET Rthjc: 0.50 °C/Вт

NCE85H21TC Datasheet скачать