Транзистор PDP8974 Оригинал!!! 120A/76A 80V MOSFET (Potens DP8974, новый транзистор bluetti)

Технические характеристики MOSFET-транзистора PDP8974

Общие параметры:

• Производители / Бренд: Potens Semiconductor
• Технологичная база: Trench DMOS Technology
• Структура транзистора: Мощный полевой N-канальный MOSFET
• Выполнение корпуса: TO-220

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

• Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 80 В
• Максимальное напряжение затвор-вилка Vgs: ±20 В
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C кремниевое ограничение: 120А
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 100°C: 76А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 184 Вт
• Гарантированная лавинная энергия Eas: 100% защита от одиночного лавинного пробоя

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Типичное сопротивление открытого канала стекатик Rdson: 3.9 мОм при напряжении затвора 10В и токи 40А
• Максимальное сопротивление открытого канала стекат-вытек Rdson max: 4.5 мОм
• Пороговое напряжение включения затвора Vgsth: 2.0...4.0 В
• Полный заряд затвора Qg: типовые значения адаптированы под скоростные коммутационные платы инверторов
• Способность выдерживать быстрые изменения напряжения: улучшенный показатель dv/dt для стабильной работы на высоких частотах

Параметры встроенного защитного диода:

• Максимальный прямой ток диода If: 120А
• Конфигурация защиты: интегрированный скоростной диод для защиты от энергетических импульсов коммутации и обратного тока

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +150 °C
• Эксплуатационная стойкость: оптимизировано для высокоэффективных быстрых схем переключения и портативных электростанций

 PDP8974 Datasheet загрузить