Технические характеристики MOSFET-транзистора IRF4468

Общие параметры:

• Производители / Бренд: Infineon Technologyies / International Rectifier (полное заводское маркировки модели IRFP4468PBF)
• Технологичная база: HEXFET Power MOSFET
• Структура транзистора: Мощный полевой N-канальный MOSFET
• Выполнение корпуса: TO-247 (также маркуется как TO-247AC)

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

• Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 100 В
• Максимальное напряжение затвор-вилка Vgs: ±20 В
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C кремниевое ограничение: 290А
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C ограничения корпуса: 195А
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 100°C: 210А
• Пиковый импульсный ток стока Idm: 1120А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 520 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Типичное сопротивление открытого канала стекатик Rdson: 2.0 мОм при напряжении затвора 10В и токи 180А
• Максимальное сопротивление открытого канала стекат-вытек Rdson max: 2.6 мОм
• Пороговое напряжение включения затвора Vgsth: 2.0...4.0 В
• Полный заряд затвора Qg: ~360-380 нКл при напряжении затвора 10 В
• Входная емкость Ciss: ~19860-22000 пФ
• Выходная емкость Coss: ~1360 пФ
• Время задержки включения tdon: ~53 нс
• Время задержки отключения tdoff: ~171 нс

Параметры встроенного защитного диода:

• Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.30 В при прямом токе 180 А
• Время обратного восстановления trr: ~110-140 нс
• Максимальный прямой ток диода If: 290А

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
• Тепловое сопротивление переход-корпус для MOSFET Rthjc: 0.29 °C/Вт

IRF4468 Datasheet скачать