Транзистор HY5012,  - мощный полевой N-канальный транзистор в корпусе TO-220.

Технические характеристики MOSFET-транзистора HY5012W

Общие параметры:

• Производители / Бренд: Huayi Microelectronics (также маркуется как HOOYI / HY)
• Технологичная база: Power MOSFET Technology (режим обогащения)
• Структура транзистора: Мощный полевой N-канальный MOSFET
• Выполнение корпуса: TO-247 (в сопутствующих модификациях встречается в TO-220)

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

• Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 125 В
• Максимальное напряжение затвор-вилка Vgs: ±25 В
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C кремниевое ограничение: 300А
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 100°C: 196А
• Пиковый импульсный ток стока Idm: 1100 А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 500 Вт
• Одиночная передача энергии Eas: 2000 мДж

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Типичное сопротивление открытого канала стекатик Rdson: 2.9 мОм при напряжении затвора 10В и токи 150А
• Пороговое напряжение включения затвора Vgsth: 2.0...4.0 В
• Полный заряд затвора Qg: ~352 нКл при напряжении затвора 10 В
• Входная емкость Ciss: ~16300 пФ
• Выходная емкость Coss: ~1570 пФ
• Время задержки включения tdon: ~55 нс
• Время задержки отключения tdoff: ~122 нс

Параметры встроенного защитного диода:

• Максимальный прямой ток диода If при 25°C: 300А
• Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.20 В
• Максимальное прямое напряжение диода Vf max: 1.50 В

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
• Тепловое сопротивление переход-корпус для MOSFET Rthjc: 0.30 °C/Вт

HY5012 Datasheet загрузить