Технические характеристики IGBT-транзистора SP25N135T

Общие параметры:

• Производители / Бренд: Silan Microelectronics
• Технологичная база: Field Stop Trench IGBT Technology
• Конфигурация кристалла: Одиночный IGBT с интегрированным быстрым диодом обратного тока FRD
• Выполнение корпуса: TO-247

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 1350 В
• Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В (в импульсных режимах до ±30 В)
• Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 25°C максимальный: 50А
• Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 100°C номинальный: 25А
• Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 100А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 312 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 2.00 В при номинальном токе 25 А и напряжении затвора 15 В
• Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.45 В
• Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.5...6.5 В
• Полный заряд затвора Qg: ~145 нКл при напряжении затвора 15 В
• Входная емкость Ciss: ~2750 пФ
• Время спада импульса tf: ~160 нс

Параметры встроенного защитного диода:

• Типичное прямое напряжение диода Vf: 2.10 В при прямом токе 25 А
• Максимальное прямое напряжение диода Vf max: 2.70 В
• Максимальный прямой ток диода If: 50А

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55°C до +150°C (в т.ч. ревизии до +175°C)
• Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 0.40 °C/Вт

SP25N135T Datasheet скачать