Транзистор HY5208,  - мощный полевой N-канальный транзистор в корпусе TO-220.

Технические характеристики MOSFET-транзистора HY5208W

Общие параметры:

• Производители / Бренд: Huayi Microelectronics (также маркуется как HOOYI / HY)
• Технологичная база: Power MOSFET Technology (режим обогащения)
• Структура транзистора: Мощный полевой N-канальный MOSFET
• Выполнение корпуса: TO-247

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

• Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 80 В
• Максимальное напряжение затвор-вилка Vgs: ±25 В
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C кремниевое ограничение: 360А
• Постоянный ток стока Id при температуре фланца 100°C: 240А
• Пиковый импульсный ток стока Idm: 1440 А
• Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 510 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

• Типичное сопротивление открытого канала стекатик Rdson: 1.8 ...2.1 мОм при напряжении затвора 10В и тока 150А
• Максимальное сопротивление открытого канала стекат-вытек Rdson max: 2.4 мОм
• Пороговое напряжение включения затвора Vgsth: 2.0...4.0 В
• Полный заряд затвора Qg: ~310 нКл при напряжении затвора 10 В
• Входная емкость Ciss: ~15400 пФ
• Время задержки включения tdon: ~42 нс
• Время задержки отключения tdoff: ~135 нс

Параметры встроенного защитного диода:

• Типичное прямое напряжение диода Vf: 0.88 В при прямом токе 150 А
• Максимальное прямое напряжение диода Vf max: 1.30 В
• Время обратного восстановления trr: ~82 нс
• Максимальный прямой ток диода If: 360А

Тепловые параметры и эксплуатация:

• Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C
• Тепловое сопротивление переход-корпус для MOSFET Rthjc: 0.29 °C/Вт

HY5208 Datasheet скачать