Корзина
inda.com.ua
+380 (98) 699-91-62
+380 (73) 642-60-24
Корзина
впередназад
Транзистор 60N60FD1 Оригинал!!! 120A/60A 600V  IGBT (k60b60d1, aok60b60d1, fgh60n60ufd, fgh60n60smd), фото 2
Транзистор 60N60FD1 Оригинал!!! 120A/60A 600V  IGBT (k60b60d1, aok60b60d1, fgh60n60ufd, fgh60n60smd), фото 3
Транзистор 60N60FD1 Оригинал!!! 120A/60A 600V  IGBT (k60b60d1, aok60b60d1, fgh60n60ufd, fgh60n60smd), фото 4
Транзистор 60N60FD1 Оригинал!!! 120A/60A 600V  IGBT (k60b60d1, aok60b60d1, fgh60n60ufd, fgh60n60smd), фото 5
Транзистор 60N60FD1 Оригинал!!! 120A/60A 600V  IGBT (k60b60d1, aok60b60d1, fgh60n60ufd, fgh60n60smd), фото 6
Транзистор 60N60FD1 Оригинал!!! 120A/60A 600V  IGBT (k60b60d1, aok60b60d1, fgh60n60ufd, fgh60n60smd), фото 7

Транзистор 60N60FD1 Оригинал!!! 120A/60A 600V IGBT (k60b60d1, aok60b60d1, fgh60n60ufd, fgh60n60smd)

115 ₴

106,95 ₴

  • Готово к отправке
  • Код: 185
Транзистор 60N60FD1 Оригинал!!! 120A/60A 600V  IGBT (k60b60d1, aok60b60d1, fgh60n60ufd, fgh60n60smd)
Транзистор 60N60FD1 Оригинал!!! 120A/60A 600V IGBT (k60b60d1, aok60b60d1, fgh60n60ufd, fgh60n60smd)Готово к отправке
115 ₴106,95 ₴
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
+380 (98) 699-91-62
Kyivstar
  • +380 (73) 642-60-24
    Life
возврат товара в течение 14 дней бесплатно
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Оригинальный.
Новый. 120A/60A 600V
Производитель - SILAN MICROELECTRONICS
Замена для
k60b60d1, aok60b60d1, fgh60n60ufd, fgh60n60smd, irgp50b60pd1, irgp20b60pd, k50ef5 , ikw50n65f5, k50eh5 , ikw50n65h5 , k50ees5 , ikw50n65es5

Технические характеристики IGBT-транзистора 60N60FD1

Общие параметры:

  • Производители / Бренд: Silan Microelectronics (полное заводское маркировки серии SGT60N60FD1)
  • Технологичная база: Field Stop IGBT Technology
  • Конфигурация кристалла: Одиночный IGBT с интегрированным быстрым диодом обратного тока FRD
  • Выполнение корпуса: TO-3P / TO-247 (выпускается в нескольких совместимых модификациях корпуса для выдвижного монтажа THT)

Электрические параметры Предельно допустимые значения:

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 600 В
  • Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В
  • Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 25°C максимальный: 120А
  • Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 100°C номинальный: 60А
  • Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 180...240 А
  • Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 321 Вт

Статические и динамические характеристики транзистора:

  • Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 2.20 В при номинальном токе 60 А и напряжении затвора 15 В
  • Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.0...6.0 В
  • Входная емкость Ciss: ~2850 пФ при напряжении 30 В и частоте 1 МГц
  • Выходная емкость Coes: ~294 пФ
  • Типичное время задержки включения tdon: ~38 нс

Параметры встроенного защитного диода:

  • Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.50...1.80 В при номинальном прямом токе
  • Время обратного восстановления диода trr: быстрый антипараллический FRD диод для подавления коммутационных выбросов и защиты в импульсных режимах
  • Максимальный прямой ток диода If: 60А

Тепловые параметры и эксплуатация:

  • Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +150 °C
  • Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: низкое термическое сопротивление для систем интенсивного охлаждения сварочных инверторов и источников бесперебойного питания

SGT60N60FD1 Datageet загрузить

Характеристики
Основные
ПроизводительSilan
Страна производительКитай
Дополнительные характеристики
СостояниеНовое
Пользовательские характеристики
Количество в упаковке1 шт.
КОРПУСTO-3P
Максимальна напруга600
Максимальний струм120A
Максимальна напруга+600V
Тип транзистораIGBT
Информация для заказа
  • Цена: 106,95 ₴